FCPF260N65FL1 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装,适用于高功率和高频应用。其耐压高达 650V,连续漏极电流可达 26A,非常适合于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
该 MOSFET 具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,同时集成了快速恢复体二极管,有助于提高系统效率并降低电磁干扰(EMI)。此外,它还具有增强的雪崩能力和热稳定性,确保在严苛的工作条件下仍能保持可靠运行。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:26A
导通电阻(Rds(on)):280mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:43nC(典型值)
反向恢复时间:95ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TOLL
FCPF260N65FL1 的主要特性包括:
1. 高耐压能力:650V,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:280mΩ(典型值),有助于减少导通损耗。
3. 快速恢复体二极管:集成快速恢复二极管,优化了开关性能和 EMI 表现。
4. 强大的雪崩能力:增强了对异常情况的耐受性。
5. 高电流承载能力:连续漏极电流达 26A,满足大功率需求。
6. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +175℃ 的结温范围,适应各种环境条件。
7. 紧凑型封装:TOLL 封装,提供良好的散热性能和易于安装的特点。
FCPF260N65FL1 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关,用于提升效率。
3. 电机驱动电路,尤其是需要高电压和高电流的场合。
4. 工业逆变器和变频器中的功率级组件。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种需要高效率和高可靠性功率转换的应用场景。
FCPF259N65L, FCPF262N65FL1