类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　漏极峰值电流（Idm）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.78Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

FCP9N60C具备多项显著的技术特性，适用于广泛的功率电子应用。首先，该MOSFET的高耐压能力（600V）使其适用于高压电源系统，例如开关电源（SMPS）、离线电源适配器和工业电机驱动器。其较低的导通电阻（Rds(on)）最大为0.78Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，FCP9N60C采用了先进的非穿通（NPT）技术，优化了开关性能，使其在高频工作条件下具有较低的开关损耗，从而提高系统的功率密度。
　　其次，该器件具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的长期运行稳定性。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，有助于有效管理功率损耗带来的热量。同时，该MOSFET具有较高的栅极电压容限（±30V），增强了对栅极驱动电路的兼容性，并提高了抗干扰能力。在短路和过载条件下，FCP9N60C表现出较强的抗损坏能力，为系统提供了更高的安全性和稳定性。

FCP9N60C广泛应用于各类功率电子设备中，适用于多种高电压和高电流的开关控制场景。典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，该MOSFET非常适合用于需要高效能、高可靠性的功率转换系统。例如，在开关电源设计中，FCP9N60C可用于主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可用于H桥结构中的高端或低端开关，提供稳定的电流控制能力。

FQP9N60C, STF9N60M2, IRFBC30, FCP10N60C