时间：2025/8/24 15:26:05
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FCP7N80C是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压和高电流应用而设计，广泛用于电源转换器、电机驱动器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统等领域。FCP7N80C具备优异的导通特性和低导通电阻（Rds(on)），能够在高温和高负载条件下保持稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：7A
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FCP7N80C的主要特性包括其高耐压能力和良好的导通性能，使其适用于各种高功率开关应用。该器件的Rds(on)典型值为1.2Ω，极大地降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
此外，FCP7N80C具备快速开关能力，减少了开关损耗，并且内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，适用于高频开关应用。
其TO-220封装不仅提供了良好的热管理，还具备较高的机械强度和易于安装的特性，适合在工业环境中使用。
FCP7N80C还具备出色的短路和过热保护能力，在极端条件下仍能维持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
FCP7N80C常用于多种电力电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器以及电池管理系统。由于其高电压耐受能力和良好的导通性能，该器件也适合用于照明系统、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器等。
在开关电源应用中，FCP7N80C可用于主开关或同步整流开关，以提高电源效率并减少热量产生。
在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥结构中的高侧或低侧开关，实现对电机的高效控制。
此外，其高耐压特性也使其适用于高压电池管理系统的充放电控制电路中。
FQP7N80C, STP7NK80Z, IRF7N80C
