类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.8Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　输入电容（Ciss）：650pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　漏极电流脉冲（IDM）：12A

FCP3N80C具有多个关键特性，使其适用于高功率和高频率应用。首先，该MOSFET的漏源电压高达800V，使其适用于高压系统，例如开关电源和AC-DC转换器。其次，其导通电阻为2.8Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体性能。
　　FCP3N80C的封装采用TO-220形式，具有良好的散热能力，适合高功率密度设计。其栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了稳定的工作性能，并兼容常见的驱动电路。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在严苛环境下稳定运行。
　　此外，FCP3N80C的输入电容较小，有助于减少栅极驱动损耗，适用于高频开关应用。其反向恢复时间较短，减少了在同步整流和电机控制应用中的能量损耗。

FCP3N80C广泛应用于多种高功率和高频电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池充电器和电机驱动器。由于其高耐压能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高压直流电源系统和工业控制设备。
　　在LED照明系统中，FCP3N80C可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出并提高能效。在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效能量转换。此外，该器件也可用于高频感应加热设备、电动工具和智能家电中的功率控制电路。

FQP3N80C, FDPF3N80C, IRF840, STP4NK80Z