FCP3N80C是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造。该器件设计用于高功率和高频应用,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。该MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器以及电机控制等场景。FCP3N80C采用TO-220封装,具备良好的热性能和电流承载能力。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):800V
连续漏极电流(ID):3A
导通电阻(RDS(on)):2.8Ω(最大值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
输入电容(Ciss):650pF(典型值)
反向恢复时间(trr):快速恢复
漏极电流脉冲(IDM):12A
FCP3N80C具有多个关键特性,使其适用于高功率和高频率应用。首先,该MOSFET的漏源电压高达800V,使其适用于高压系统,例如开关电源和AC-DC转换器。其次,其导通电阻为2.8Ω,降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有快速开关特性,能够减少开关损耗,提高整体性能。
FCP3N80C的封装采用TO-220形式,具有良好的散热能力,适合高功率密度设计。其栅极阈值电压在2V至4V之间,确保了稳定的工作性能,并兼容常见的驱动电路。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性,能够在严苛环境下稳定运行。
此外,FCP3N80C的输入电容较小,有助于减少栅极驱动损耗,适用于高频开关应用。其反向恢复时间较短,减少了在同步整流和电机控制应用中的能量损耗。
FCP3N80C广泛应用于多种高功率和高频电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电池充电器和电机驱动器。由于其高耐压能力和低导通电阻,该MOSFET特别适合用于高压直流电源系统和工业控制设备。
在LED照明系统中,FCP3N80C可用于恒流驱动电路,提供稳定的电流输出并提高能效。在逆变器和UPS(不间断电源)系统中,该MOSFET可作为主开关元件,实现高效能量转换。此外,该器件也可用于高频感应加热设备、电动工具和智能家电中的功率控制电路。
FQP3N80C, FDPF3N80C, IRF840, STP4NK80Z