类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：25 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：22 A（在 Vgs = 10 V 时）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 5.5 mΩ（在 Vgs = 10 V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双封装（DFN5x6）
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（Pd）：3.5 W

FCP22E-5K 功率 MOSFET 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10 V 时最大仅为 5.5 mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗极低，提高了整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，在 25°C 环境温度下可支持高达 22 A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　该 MOSFET 采用先进的硅技术，具备良好的热稳定性，并通过优化的芯片设计降低了开关损耗。其栅极驱动电压范围宽广（支持 4.5 V 至 20 V），适合多种控制电路应用。此外，该器件的封装设计为 PowerPAK SO-8 双封装（DFN5x6），提供了良好的热管理和空间效率，适用于紧凑型 PCB 设计。
　　FCP22E-5K 还具备出色的可靠性，能够在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。其封装无铅且符合 RoHS 环保标准，满足现代电子产品对环保材料的要求。

FCP22E-5K 主要用于高性能电源管理与转换系统中，例如同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、笔记本电脑电源适配器、电机控制电路以及电源管理 IC（PMIC）外围电路。
　　在 DC-DC 转换器中，FCP22E-5K 通常用于高侧或低侧开关，其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率并降低发热。在电池管理系统中，该器件可作为充放电控制开关，实现高效能量管理。由于其优异的热性能，该 MOSFET 在高功率密度设计中尤为适用，例如嵌入式系统、工业自动化设备和电信基础设施。
　　此外，该器件也广泛应用于同步整流电路中，替代传统二极管以减少压降和损耗，提高整流效率。其高速开关特性也使其适合用于电机驱动和电源切换应用。

Si2302DS, IRF7413, FDS6680, IPD90N03S4-01