时间：2025/12/23 13:05:40
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FCP16N60是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高效率的应用设计。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源转换、电机驱动以及逆变器等场景。
该器件采用TO-247封装形式，能够承受较高的漏源电压，并且具备优秀的热性能表现，适合在恶劣环境下工作。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：75nC
总电容：2350pF
功耗：240W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压达到600V，确保在高压环境中稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为0.18Ω，在大电流应用中可减少功率损耗。
3. 快速开关速度，得益于其较小的栅极电荷（Qg=75nC），能够提高系统效率。
4. 大电流承载能力，支持高达16A的连续漏极电流。
5. 良好的热性能，配合TO-247封装，有助于散热并延长使用寿命。
6. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），适应多种复杂环境。
FCP16N60广泛应用于工业和消费类电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. UPS不间断电源
5. 太阳能逆变器
6. 各类电力电子设备中的功率开关组件
IRFP460, STP16NF60, FDP16N60
