FCP13N60 时间：2025/8/25 2:04:18 阅读：25

FCP13N60是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源转换和功率控制电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。FCP13N60采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：13A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.45Ω（典型值0.38Ω）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FCP13N60具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中具有竞争力。首先，其漏极电压高达600V，能够满足大多数高电压应用的需求，例如开关电源中的主开关元件。其次，导通电阻RDS(on)最大值为0.45Ω，典型值为0.38Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的最大漏极电流能力（13A），在高功率负载下仍能稳定工作。
　　FCP13N60的栅极电压容限为±30V，提供良好的栅极驱动灵活性，适用于各种驱动电路。其热阻（RθJC）较低，有助于在高功率应用中保持良好的散热性能，提高可靠性。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频操作环境。此外，其TO-220封装具备良好的机械稳定性和散热性能，便于安装和使用。

应用

FCP13N60广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关元件，用于AC-DC转换器中，实现高效能量转换。
　　2. DC-DC转换器：在升压（Boost）、降压（Buck）及反相（Flyback）拓扑中用作功率开关。
　　3. 电机驱动和控制：用于H桥驱动电路，控制电机的正反转及调速。
　　4. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制高功率负载的通断。
　　5. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，实现恒流控制。
　　6. 家用电器：用于电饭煲、电磁炉、洗衣机等产品的功率控制电路。