FCP13N60是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源转换和功率控制电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。FCP13N60采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(VDSS):600V
最大漏极电流(ID):13A(在Tc=100℃时)
导通电阻(RDS(on)):最大值0.45Ω(典型值0.38Ω)
栅极电压(VGS):±30V
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
FCP13N60具备多项优异特性,使其在功率MOSFET中具有竞争力。首先,其漏极电压高达600V,能够满足大多数高电压应用的需求,例如开关电源中的主开关元件。其次,导通电阻RDS(on)最大值为0.45Ω,典型值为0.38Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的最大漏极电流能力(13A),在高功率负载下仍能稳定工作。
FCP13N60的栅极电压容限为±30V,提供良好的栅极驱动灵活性,适用于各种驱动电路。其热阻(RθJC)较低,有助于在高功率应用中保持良好的散热性能,提高可靠性。
该MOSFET还具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频操作环境。此外,其TO-220封装具备良好的机械稳定性和散热性能,便于安装和使用。
FCP13N60广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,用于AC-DC转换器中,实现高效能量转换。
2. DC-DC转换器:在升压(Boost)、降压(Buck)及反相(Flyback)拓扑中用作功率开关。
3. 电机驱动和控制:用于H桥驱动电路,控制电机的正反转及调速。
4. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制高功率负载的通断。
5. 照明系统:在LED驱动电源中作为开关元件,实现恒流控制。
6. 家用电器:用于电饭煲、电磁炉、洗衣机等产品的功率控制电路。
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