时间：2025/5/7 12:28:08
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FCP125N65S3 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件属于超结 MOSFET 技术，具有高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景。
FCP125N65S3 的设计使得其在高压应用中表现优异，同时优化了动态性能以减少开关损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12.5A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
FCP125N65S3 使用超结技术实现了更高的功率密度和更低的开关损耗。其关键特性包括：
1. 高击穿电压 (650V)，适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，减少开关过程中的能量损失。
4. 低栅极电荷和输出电荷，进一步优化动态性能。
5. 工作温度范围广 (-55℃ 至 +150℃)，能够在极端条件下稳定运行。
这些特性使其非常适合需要高效率和高可靠性的应用领域，例如工业电源、太阳能逆变器以及电机驱动等。
FCP125N65S3 主要用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和风能发电系统中的功率转换模块。
3. 各类电机驱动电路，包括家用电器和工业设备中的无刷直流电机控制。
4. 电动车充电站和车载充电器的功率级元件。
5. PFC（功率因数校正）电路，提升系统效率并满足电磁兼容性要求。
由于其出色的性能和可靠性，该器件在上述领域中得到了广泛应用。
FPD125N65S3
IRFB740PBF
FDP125N65S3
