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FCP11N60F 发布时间 时间:2025/7/11 21:34:41 查看 阅读:10

FCP11N60F是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件主要适用于高电压、大电流的开关应用场合,例如开关电源、逆变器、电机驱动等。其额定耐压为600V,最大连续漏极电流可达11A(在特定结温条件下)。此外,FCP11N60F具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  该芯片以其高可靠性和稳定性而著称,适合需要长期稳定运行的工业及消费类电子设备。

参数

额定电压:600V
  最大连续漏极电流:11A
  导通电阻(典型值):1.5Ω
  栅极电荷(典型值):48nC
  总电容(输入电容):1300pF
  极间电容(输出电容):150pF
  反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 额定耐压高达600V,适用于高压环境下的开关应用。
  2. 最大连续漏极电流达11A,确保在高负载条件下稳定运行。
  3. 具有低导通电阻(典型值为1.5Ω),从而减少导通损耗,提高整体效率。
  4. 快速开关性能,栅极电荷小(48nC),有助于降低开关损耗。
  5. 极低的反向恢复时间(40ns),适合高频应用。
  6. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),能够在极端环境下正常工作。
  7. 采用标准的TO-247封装,易于安装和散热设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 逆变器
  3. 电机驱动
  4. UPS不间断电源
  5. 蓄电池充电器
  6. LED照明驱动
  7. 各种工业控制设备中的功率开关组件

替代型号

IRFP460, STP11NM60, FDP11N60

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FCP11N60F参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称FCP11N60F-NDFCP11N60FFS