FCP11N60F是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件主要适用于高电压、大电流的开关应用场合,例如开关电源、逆变器、电机驱动等。其额定耐压为600V,最大连续漏极电流可达11A(在特定结温条件下)。此外,FCP11N60F具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片以其高可靠性和稳定性而著称,适合需要长期稳定运行的工业及消费类电子设备。
额定电压:600V
最大连续漏极电流:11A
导通电阻(典型值):1.5Ω
栅极电荷(典型值):48nC
总电容(输入电容):1300pF
极间电容(输出电容):150pF
反向恢复时间:40ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
1. 额定耐压高达600V,适用于高压环境下的开关应用。
2. 最大连续漏极电流达11A,确保在高负载条件下稳定运行。
3. 具有低导通电阻(典型值为1.5Ω),从而减少导通损耗,提高整体效率。
4. 快速开关性能,栅极电荷小(48nC),有助于降低开关损耗。
5. 极低的反向恢复时间(40ns),适合高频应用。
6. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),能够在极端环境下正常工作。
7. 采用标准的TO-247封装,易于安装和散热设计。
1. 开关电源(SMPS)
2. 逆变器
3. 电机驱动
4. UPS不间断电源
5. 蓄电池充电器
6. LED照明驱动
7. 各种工业控制设备中的功率开关组件
IRFP460, STP11NM60, FDP11N60