FCP11N60是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。其设计优化了热性能和电气性能,使其能够胜任严苛的工作环境。
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:11A
导通电阻:4.8Ω
总功耗:160W
结温范围:-55℃至+175℃
FCP11N60具备以下显著特点:
1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻,在高电流条件下提供更高的效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 热稳定性强,能够在极端温度范围内正常工作。
5. 具有优异的雪崩能力和抗干扰性能,确保在异常条件下的可靠性。
6. 封装坚固耐用,便于散热处理。
FCP11N60主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 不间断电源(UPS)系统。
4. LED照明驱动器。
5. 各类高压负载切换电路。
6. 电磁阀和继电器驱动等需要高效功率控制的场合。
IRF840, STP11NK60Z, K1106