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FCP11N60 发布时间 时间:2025/4/28 15:18:59 查看 阅读:6

FCP11N60是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。其设计优化了热性能和电气性能,使其能够胜任严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:600V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻:4.8Ω
  总功耗:160W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

FCP11N60具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻,在高电流条件下提供更高的效率。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度范围内正常工作。
  5. 具有优异的雪崩能力和抗干扰性能,确保在异常条件下的可靠性。
  6. 封装坚固耐用,便于散热处理。

应用

FCP11N60主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
  2. 工业电机驱动和逆变器。
  3. 不间断电源(UPS)系统。
  4. LED照明驱动器。
  5. 各类高压负载切换电路。
  6. 电磁阀和继电器驱动等需要高效功率控制的场合。

替代型号

IRF840, STP11NK60Z, K1106

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FCP11N60参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称FCP11N60_NLFCP11N60_NL-ND