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FCP11N40 发布时间 时间:2025/8/25 4:49:27 查看 阅读:6

FCP11N40是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理应用。该器件设计用于高能效和高性能的开关电路,具备低导通电阻、高耐压和大电流承受能力的特点,适用于如电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):400V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):11A
  导通电阻(RDS(on)):0.38Ω
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

FCP11N40 MOSFET的主要特性包括低导通电阻(RDS(on))和高电流承受能力,这使得该器件在高频开关应用中表现出色。其导通电阻仅为0.38Ω,可以有效减少导通状态下的功率损耗,提高系统的整体能效。此外,该器件具备高达400V的漏源电压耐受能力,能够适应高电压环境下的工作需求。
  FCP11N40采用TO-220封装形式,这种封装不仅具备良好的散热性能,还便于安装在散热片上,以进一步提升器件的热稳定性。其最大连续漏极电流为11A,使其适用于中高功率的电源设计。
  该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端温度条件下保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。此外,FCP11N40具备较高的栅极绝缘能力,栅源电压可承受±20V,增强了器件的可靠性和抗干扰能力。
  由于其优异的电气特性和高耐压能力,FCP11N40广泛应用于各种电源管理、马达控制和负载开关等场景。它在DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电池管理系统中均有广泛应用。

应用

FCP11N40广泛应用于电源管理和功率控制领域。常见的应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。此外,该器件也适用于需要高效率和高可靠性的车载电子系统,如车载充电器和电池管理系统。

替代型号

STP12NM40, IRF740, FDPF11N40

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