类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：600V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.42Ω
　　封装形式：TO-220

FCP104N60E具备多项优越的电气和热性能，首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的平面技术，提供了优良的雪崩能量吸收能力，增强了器件的可靠性。此外，FCP104N60E的栅极设计优化，降低了开关损耗，并提升了抗干扰能力。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还兼容多种散热器安装方式，便于系统集成。该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用领域。
　　在极端工作条件下，FCP104N60E仍能保持稳定的性能表现。例如，在高温环境下，其热阻较低，可有效降低结温，延长器件使用寿命。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于要求高可靠性的开关电源和工业控制设备。

FCP104N60E广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其适合于开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、DC-AC逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高耐压和良好的热稳定性使其成为许多中高功率应用的理想选择。例如，在电源适配器和充电器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在LED照明系统中，它可用于驱动大功率LED模块，确保稳定可靠的光源输出。此外，FCP104N60E也适用于太阳能逆变器、UPS系统和智能电表等电力电子设备。

FQP10N60C, FQA10N60C, STF10N60DM2, IRFBC40