时间：2025/4/28 18:54:42
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FCH47N60-F133 是一款高压 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性。其耐压能力高达 600V，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率转换和电机驱动场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏电流：47A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：85mΩ
总功耗：330W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK
FCH47N60-F133 提供了卓越的性能表现。
首先，它采用了沟槽式 MOSFET 技术，这种技术显著降低了导通电阻，从而提高了效率并减少了发热。
其次，该器件具备快速开关特性，能够在高频应用中保持较低的开关损耗。
此外，它的高耐压能力和大电流承载能力使其非常适合用于严苛环境下的功率转换任务。
最后，其紧凑的 DPAK 封装形式使得 PCB 布局更加灵活，并有助于减少整体系统体积。
FCH47N60-F133 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 各种工业控制和家电设备中的功率管理部分。
FCH47N60B, IRF4786, STP47NF60
