时间：2025/5/8 9:33:32
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FCH104N60F 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合对能效要求较高的应用环境。
该型号属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）的 MOSFET 产品系列，能够承受高达 600V 的漏源电压，并支持大电流输出。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：3.2Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：35nC（典型值）
总开关能量：890mJ（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FCH104N60F 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 良好的雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 提供紧凑的封装选项，便于 PCB 布局设计。
6. 优秀的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定性能。
FCH104N60F 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 各类工业设备中的负载切换功能。
4. 逆变器和 UPS 系统。
5. 电池保护电路以及 LED 驱动电路。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件成为许多高电压应用的理想选择。
FCH107N60F, FCH105N60F, IRF640
