类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：21A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.21Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

FCH021N65S3AL4采用了安森美半导体的SuperFET? III技术，这是一种先进的电荷平衡技术，使得MOSFET在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻，从而提升了整体效率。该器件的Rds(on)最大值仅为0.21Ω，在同类650V MOSFET中具备较强的竞争力。此外，其快速的开关特性有助于减少开关损耗，提升电源转换效率。
　　在热管理方面，FCH021N65S3AL4具有较高的热稳定性，能够在高功率密度环境下可靠运行。其TO-220封装设计不仅具备良好的散热能力，还便于安装在散热片上，适用于多种工业应用环境。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的可靠性保障。
　　另外，FCH021N65S3AL4的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动IC配合使用，简化了驱动电路设计。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了在高频开关应用中的适用性。

FCH021N65S3AL4广泛应用于各类高效率电源系统中，例如：电源适配器、服务器电源、电信电源设备、PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器以及工业电源模块。由于其具备高电压耐受能力和较低的导通损耗，该器件特别适用于需要高能效和紧凑设计的电源应用。此外，它也可用于LED照明驱动器、太阳能逆变器以及电机控制电路中，满足不同领域的功率转换需求。

FCH021N65S3,FCH027N65S3,FCH030N65S3