时间：2025/5/9 15:14:31
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FCD4N60TM 是一款 N 沱超级结功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的超结技术，能够实现低导通电阻和高开关速度的结合，适用于电源管理、逆变器、电机驱动和其他高效能转换系统。
其额定耐压为 600V，具有良好的雪崩能力和出色的热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.2Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：780pF
总功耗：9W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
FCD4N60TM 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：600V 的漏源击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
2. 超低导通电阻：1.2Ω 的典型值有效降低了传导损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关能力：得益于较低的栅极电荷和输出电容，使得 FCD4N60TM 在高频应用中表现优异。
4. 强大的雪崩能力：可承受瞬态过压情况，增强了器件的鲁棒性。
5. 热增强封装：提高了散热性能，延长了使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
FCD4N60TM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：用于控制各种类型的电机，包括步进电机和无刷直流电机。
3. 逆变器：适合太阳能逆变器及其他电力转换设备。
4. PFC（功率因数校正）电路：提升电力系统的效率和稳定性。
5. 工业自动化：在需要高效能量传输和控制的工业场景中发挥重要作用。
FCS4N60T, FCD3N60TM, IRF640
