FCD4N60TM 是一款 N 沱超级结功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的超结技术,能够实现低导通电阻和高开关速度的结合,适用于电源管理、逆变器、电机驱动和其他高效能转换系统。
其额定耐压为 600V,具有良好的雪崩能力和出色的热稳定性,能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:780pF
总功耗:9W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
FCD4N60TM 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:600V 的漏源击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
2. 超低导通电阻:1.2Ω 的典型值有效降低了传导损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关能力:得益于较低的栅极电荷和输出电容,使得 FCD4N60TM 在高频应用中表现优异。
4. 强大的雪崩能力:可承受瞬态过压情况,增强了器件的鲁棒性。
5. 热增强封装:提高了散热性能,延长了使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
FCD4N60TM 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于控制各种类型的电机,包括步进电机和无刷直流电机。
3. 逆变器:适合太阳能逆变器及其他电力转换设备。
4. PFC(功率因数校正)电路:提升电力系统的效率和稳定性。
5. 工业自动化:在需要高效能量传输和控制的工业场景中发挥重要作用。
FCS4N60T, FCD3N60TM, IRF640