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FCD4N60TM 发布时间 时间:2025/5/9 15:14:31 查看 阅读:21

FCD4N60TM 是一款 N 沱超级结功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的超结技术,能够实现低导通电阻和高开关速度的结合,适用于电源管理、逆变器、电机驱动和其他高效能转换系统。
  其额定耐压为 600V,具有良好的雪崩能力和出色的热稳定性,能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻:1.2Ω
  栅极电荷:35nC
  输入电容:780pF
  总功耗:9W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

FCD4N60TM 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:600V 的漏源击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
  2. 超低导通电阻:1.2Ω 的典型值有效降低了传导损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关能力:得益于较低的栅极电荷和输出电容,使得 FCD4N60TM 在高频应用中表现优异。
  4. 强大的雪崩能力:可承受瞬态过压情况,增强了器件的鲁棒性。
  5. 热增强封装:提高了散热性能,延长了使用寿命。
  6. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。

应用

FCD4N60TM 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动:用于控制各种类型的电机,包括步进电机和无刷直流电机。
  3. 逆变器:适合太阳能逆变器及其他电力转换设备。
  4. PFC(功率因数校正)电路:提升电力系统的效率和稳定性。
  5. 工业自动化:在需要高效能量传输和控制的工业场景中发挥重要作用。

替代型号

FCS4N60T, FCD3N60TM, IRF640

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FCD4N60TM参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds540pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FCD4N60TMTR