时间：2025/8/24 10:14:12
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FCD250N65S3是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高电压和高电流应用设计。该模块采用SiC（碳化硅）技术，具有优异的导热性和高效率，适用于需要高频率开关和高功率密度的电力电子系统。
类型：功率MOSFET模块
材料：SiC（碳化硅）
最大漏源电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：250A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为17mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
额定功率损耗：具体数值需参考数据手册
封装尺寸：依据具体封装标准
FCD250N65S3采用了先进的SiC技术，使其在高温和高压环境下仍能保持稳定性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该模块具有高电流承载能力和出色的热管理能力，适合高功率密度设计。
该模块还具备良好的短路耐受能力和较高的可靠性，适用于要求严苛的工业和汽车应用。SiC材料的使用也使其能够在更高的开关频率下运行，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
由于其优异的性能，FCD250N65S3能够在恶劣环境下长期稳定工作，提供更高的系统效率和更长的使用寿命。
FCD250N65S3广泛应用于高功率逆变器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动和高频电源转换设备。其高效率和高可靠性使其成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。
FCD300N65S3、FCD200N65S3、FHA250N65S3
