FC100V10A是一款高效能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、电机控制以及高电压直流系统中。这款MOSFET以其高耐压、低导通电阻和快速开关特性著称,适用于需要高效率与高可靠性的设计场合。FC100V10A采用了TO-220封装形式,便于散热和安装,适合工业级应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDSS):100V
最大漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):约0.3Ω(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
最大耗散功率(PD):80W
工作温度范围:-55°C至+175°C
FC100V10A的主要特性之一是其优异的导通性能和低导通损耗。该器件的RDS(on)在导通状态下非常低,通常约为0.3Ω,这有助于减少工作时的功耗,提高系统效率。此外,FC100V10A的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定运行,非常适合用于100V以下的直流或交流电源转换系统。
该MOSFET还具备快速开关能力,其开关时间(包括导通时间和关断时间)非常短,能够支持高频开关应用,例如DC-DC转换器、PWM电机控制和LED驱动器等。这种快速开关特性不仅提高了系统的工作效率,还能减小外围电路的尺寸,从而实现更紧凑的设计。
FC100V10A的封装形式为TO-220,这种封装设计有助于有效散热,确保器件在高负载下仍能保持稳定运行。同时,TO-220封装便于安装在散热片上,进一步提升其热管理能力。该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于各种严苛的工业环境。
此外,FC100V10A的栅极阈值电压范围为2V至4V,这意味着它可以与多种常见的控制电路(如微控制器和PWM控制器)兼容,简化了驱动电路的设计。
FC100V10A广泛应用于多种电源和功率控制场合。在开关电源(SMPS)中,该器件可以作为主开关元件,用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率,减少发热。
在电机控制领域,FC100V10A常用于H桥电路或PWM控制电路中,以精确控制电机的速度和方向。由于其高耐压和高电流能力,该器件能够承受电机启动时的瞬态电流冲击,确保系统的稳定运行。
该MOSFET还适用于LED驱动器设计,尤其是在需要高亮度输出的工业或汽车照明应用中。通过PWM调光方式,FC100V10A可以实现对LED亮度的精确控制,同时保持较高的能效。
此外,FC100V10A也可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。其低导通电阻特性有助于减少电池能量损耗,提高电池使用寿命。
IRFZ44N, FQP10N10L, STP10NK10Z