型号：FC-225
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）：75A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：18mΩ @ VGS = 10V, ID = 37.5A
　　导通电阻（RDS(on) typ）：15mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：65nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：2400pF @ VDS = 30V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

FC-225具备极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为15mΩ，在10V栅极驱动条件下可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这对于大电流应用场景尤为重要，例如大功率DC-DC变换器或电池供电系统的主开关元件。低RDS(on)还能减少发热，从而降低对散热器的要求，有助于缩小产品体积并降低成本。该器件的高电流承载能力（连续75A，脉冲300A）使其适用于瞬态负载变化剧烈的场合，如电机启动或电源软启动过程中的浪涌电流抑制。
　　FC-225采用了优化的硅芯片设计，实现了快速的开关响应特性。其总栅极电荷（Qg）仅为65nC，意味着驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于使用低功耗驱动IC或集成驱动器。同时，较低的输入电容（Ciss = 2400pF）进一步减少了高频开关时的充放电损耗，提高了开关效率。开启延迟时间约15ns，关断延迟时间约45ns，确保了在数百kHz甚至更高频率下的稳定运行，适用于现代高频率开关电源拓扑结构，如同步整流Buck/Boost转换器。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），可在恶劣环境下可靠工作，包括高温工业设备或汽车引擎舱附近的应用。TO-220封装提供了优良的热传导路径，可通过外接散热片有效导出热量。此外，器件内部设计包含体二极管，具备一定的反向恢复能力（trr = 45ns），虽不推荐作为主要整流用途，但在桥式电路或感性负载切换时能提供必要的续流路径，提升系统鲁棒性。综合来看，FC-225是一款性能均衡、成本效益高的功率MOSFET，适用于多种中高端功率电子设计需求。

FC-225广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合作为开关元件用于DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，常见于服务器电源、通信电源模块及嵌入式电源管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为大电流电源轨的核心开关器件，能够有效降低功率损耗并提升转换效率。在电机驱动领域，FC-225可用于H桥电路中的上下桥臂开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，特别适用于电动工具、家用电器和自动化设备中的驱动模块。
　　在开关模式电源（SMPS）中，FC-225常被用作主开关管，尤其是在低电压输入（如12V/24V）的大功率适配器、LED驱动电源和UPS不间断电源中表现优异。其快速开关特性和较低的驱动电荷需求使其非常适合高频工作环境，有助于减小磁性元件体积，实现电源小型化。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，能够在高电流充放电过程中保持低损耗和高可靠性。
　　在汽车电子领域，FC-225可用于车载电源转换器、车灯控制模块或辅助加热系统等非安全关键类应用。尽管其未通过AEC-Q101认证，但由于其良好的温度适应性和坚固的封装结构，仍可在部分准车规级环境中使用。总之，FC-225凭借其高性能参数和成熟的技术平台，已成为众多工程师在功率设计中的常用选择之一。

FQP75N60
　　IRF3205
　　STP75NF75
　　IPB041N60N