类型：N沟道MOSFET模块
　　配置：单管
　　漏源电压（VDS）：1200 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：244 A
　　峰值漏极电流（IDM）：488 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约 18 mΩ（具体取决于测试条件）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值 3.5 V，最大 5 V
　　输入电容（Ciss）：约 12000 pF @ VDS = 25 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：约 1800 pF
　　反向恢复时间（trr）：集成快速恢复二极管，trr 典型值 < 100 ns
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
　　封装类型：模块化压接式封装（具体型号为02CS）
　　隔离电压：≥ 2500 VAC（典型值）
　　功耗（Ptot）：典型值 > 1000 W

FBR244ND012/02CS具备卓越的电气与热性能，适用于高功率密度设计。其核心特性之一是高达1200V的阻断电压能力，使其能够在中高压直流母线系统中可靠运行，例如在太阳能逆变器或工业驱动器中处理整流后的交流电压。该器件能够持续承载244A的大电流，在瞬态条件下可承受近500A的峰值电流，展现出强大的过载能力。这使得它非常适合用于需要短时高功率输出的场合，如电机启动或电弧焊机。
　　该模块采用低RDS(on)设计，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率，并减少了散热器尺寸需求。同时，其栅极结构经过优化，具有较低的输入电容和驱动功率要求，兼容标准光耦隔离驱动器，便于实现高效且稳定的栅极驱动电路设计。内部集成的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的EMC性能。
　　在可靠性方面，FBR244ND012/02CS采用压接式封装技术，避免了传统焊接连接可能带来的热疲劳问题，增强了长期运行的稳定性。该封装还提供优异的热传导路径，使热量能迅速从芯片传递至散热器，保持较低的工作结温。此外，模块具备高隔离电压能力（≥2500VAC），满足工业安全标准，适用于需要强电气隔离的三相逆变桥或多电平拓扑结构。
　　该器件符合RoHS环保规范，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电力电子系统的设计。其坚固的结构设计也使其能耐受振动、湿度和污染等恶劣环境因素，广泛用于轨道交通、能源转换和重型工业设备等领域。

FBR244ND012/02CS主要用于高功率电力电子变换系统中，包括但不限于三相逆变器、不间断电源（UPS）、工业频率变换器、感应加热装置、电焊机电源、风力发电变流器以及电动汽车充电基础设施中的DC-AC转换模块。由于其高电压和大电流处理能力，该器件特别适合构建中等功率等级（数十kW至数百kW）的主开关单元。在电机驱动领域，可用于泵、风机、压缩机等交流异步电机的变频控制，实现节能调速。在新能源系统中，该模块可用于光伏逆变器的H桥输出级或储能系统的双向变换器中，承担能量回馈功能。此外，也可用于大功率开关电源、直流输电系统和电磁执行机构的驱动电路中，作为核心功率开关元件。其高可靠性和长寿命特性也使其成为铁路牵引辅助电源和船舶电力系统中的优选方案。

FBR244ND120SMP