产品类型：TVS 二极管阵列
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小 6.0V，典型 6.6V
　　钳位电压（Vc）：最大 13.0V（在 IPP = 1A 条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs 波形）
　　结电容（Cj）：每通道典型值 0.3pF
　　反向漏电流（IR）：最大 1μA @ VRWM
　　封装形式：DFN-10（2x2.5mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　ESD 耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　响应时间：小于 1ns

FBR211NED006-M 具备卓越的电气性能和结构设计，能够在极端瞬态过压条件下为精密电子元件提供可靠防护。其核心优势之一是超低结电容，每通道典型值仅为 0.3pF，这一特性使其非常适合用于高速数据传输接口，如 USB 2.0、HDMI、MIPI 和其他高频信号线路，在不影响信号完整性的前提下实现高效的 ESD 抑制。由于采用了先进的硅基 PN 结技术，该器件具有极快的响应速度，通常小于 1 纳秒，能够在 ESD 事件发生的瞬间迅速将瞬态能量泄放到地，从而避免敏感 IC 受到损坏。
　　该 TVS 阵列支持双向保护模式，适用于交流或双向信号线的应用场景，确保无论正向还是负向的瞬态电压都能被有效钳制。此外，FBR211NED006-M 的漏电流非常低，最大仅为 1μA，在正常工作电压下几乎不消耗系统功耗，有助于提升整体系统的能效表现。其额定工作电压为 5.0V，兼容大多数 5V 和 3.3V 数字逻辑电路，广泛适用于现代便携式电子产品。
　　封装方面，该器件采用 DFN-10 小型化封装，尺寸仅为 2mm x 2.5mm，高度极低，便于集成于空间受限的设计中。DFN 封装还提供了良好的热传导性能和机械稳定性，增强了长期使用的可靠性。器件通过了 IEC 61000-4-2 Level 4 认证，可承受 ±15kV 接触放电和 ±15kV 空气放电，满足严苛的工业级 ESD 测试标准。同时，它也符合 AEC-Q101 汽车级可靠性认证要求，可用于车载信息娱乐系统等对环境耐受性要求较高的应用领域。

FBR211NED006-M 广泛应用于各类需要高等级静电防护的电子设备中，尤其适用于高速数据接口的 ESD 保护。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的 USB Type-A 或 Type-C 接口信号线保护；HDMI、DisplayPort 等高清音视频接口的差分对防护；以及耳机插孔、麦克风输入、触摸屏传感器走线等模拟小信号路径的瞬态抑制。在通信模块中，该器件可用于保护 RS-485、CAN 总线、LVDS 等工业通信线路免受现场环境中可能出现的静电和电快速瞬变干扰。
　　此外，由于其具备汽车级认证，FBR211NED006-M 也被广泛用于车载导航系统、倒车影像输入端口、车内娱乐系统的多媒体接口保护。在工业控制领域，它可以部署于 PLC 输入输出模块、人机界面（HMI）设备、工控机背板连接器等关键节点，以增强系统在恶劣电磁环境下的运行稳定性。其六通道设计允许单颗芯片保护多个并行信号线，减少了 PCB 布局面积和物料清单成本，提升了设计效率。对于追求小型化、高性能和高可靠性的现代电子产品而言，FBR211NED006-M 是一种理想的选择。