型号：FBR211NAD005-M
　　制造商：Qorvo
　　工作频率范围：500 MHz 至 6000 MHz
　　小信号增益：典型值34 dB
　　输出P1dB：典型值40.5 dBm（约1.12 W）
　　饱和输出功率（Psat）：典型值41.5 dBm（约1.41 W）
　　供电电压（Vd）：28 V
　　静态漏极电流（Idq）：可调，典型设置为120 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：Surface-mount, over-molded laminate
　　尺寸：约7.0 mm × 7.0 mm × 1.0 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：约40°C/W
　　增益平坦度：±0.8 dB 典型值（全频段内）
　　谐波抑制：典型优于-15 dBc
　　三阶交调点（OIP3）：典型值约47 dBm

FBR211NAD005-M的一个核心特性是其基于GaN-on-SiC工艺平台的设计，这一技术赋予了器件卓越的高频性能和高功率处理能力。氮化镓材料具有宽禁带特性，使得器件能够承受更高的电场强度，从而实现更高的工作电压和功率密度。相比之下，传统的GaAs或LDMOS技术在相同尺寸下难以达到如此高的输出功率水平。此外，SiC衬底具有优异的热导率，显著改善了器件的散热性能，使FBR211NAD005-M在持续高功率运行时仍能保持较低的结温，延长使用寿命并提升系统稳定性。
　　另一个重要特性是其宽带匹配设计。FBR211NAD005-M无需复杂的外部分立元件即可在500 MHz至6 GHz的超宽频率范围内实现良好的输入输出匹配，这极大地简化了射频前端设计过程，缩短了产品开发周期。工程师可以在不同频段之间灵活切换应用而无需重新设计放大器匹配网络，提升了系统设计的通用性和复用性。
　　该器件还具备出色的线性度和动态范围表现，在多载波和高阶调制信号环境下仍能维持较低的互调失真水平，满足现代通信系统对信号保真度的严苛要求。其高OIP3指标意味着即使在非理想输入条件下也能有效抑制干扰信号的产生，保障通信链路质量。
　　FBR211NAD005-M内置保护机制，如过温预警和静电放电（ESD）防护，进一步增强了其在现场应用中的鲁棒性。其表面贴装封装形式不仅节省空间，而且兼容自动化装配流程，有利于大规模量产。综合来看，这些特性使其成为下一代无线基础设施和高端射频系统的理想选择。

FBR211NAD005-M广泛应用于需要高线性度、高效率和宽带操作能力的射频系统中。其中一个主要应用场景是无线通信基础设施，例如小型蜂窝基站（Small Cell Base Stations）、分布式天线系统（DAS）和企业级接入点，其中该器件可用于驱动5G NR Sub-6 GHz频段或其他宽带无线标准的发射通道。其高输出功率和优良增益特性使其能够直接驱动后级滤波器和天线开关，减少中间级数，降低系统复杂度。
　　在军事与航空航天领域，FBR211NAD005-M被用于雷达发射模块、电子对抗（ECM）系统和战术通信设备。其宽频带响应能力支持多模式作战需求，可在不同频段间快速切换，适应复杂电磁环境下的任务执行。此外，其高可靠性和耐高温性能确保在极端环境下依然稳定运行。
　　该器件也适用于测试与测量设备，如矢量网络分析仪（VNA）和信号发生器中的内置放大器模块，用于增强测试信号强度，提高测量精度和动态范围。在工业加热、等离子体生成和其他射频能量应用中，FBR211NAD005-M同样表现出色，能够提供稳定的高功率射频输出。
　　此外，FBR211NAD005-M还可用于卫星通信地面站、点对点微波回传链路以及物联网（IoT）网关设备中的高增益射频前端。由于其支持多种调制方式和宽带操作，非常适合未来可升级、多协议共存的智能通信平台。无论是民用还是军用场景，该器件都能提供一致且可靠的性能表现，满足多样化系统架构的需求。

QPA2211
　　QPD1013
　　CGHV1K440FA