时间：2025/12/27 11:22:17
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FBMJ4516HS111是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的高性能EMI静噪滤波器，属于其FBM系列的片式磁珠阵列产品。该器件专为高速数字电路和高频信号线路设计，主要用于抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），以提升电子系统的电磁兼容性（EMC）。FBMJ4516HS111采用多层陶瓷工艺制造，集成了多个磁珠通道，能够在不影响信号完整性的情况下有效滤除高频噪声。该元件广泛应用于便携式电子产品、通信设备、消费类电子以及工业控制等领域，尤其适用于空间受限但对噪声抑制要求较高的场合。
该型号的封装尺寸为小型化的0402（1.0mm x 0.5mm），符合现代电子产品微型化和高密度组装的趋势。其结构为四通道磁珠阵列，每个通道具有相同的电气特性，适合在多信号线并行传输的系统中统一进行噪声抑制处理。FBMJ4516HS111的工作温度范围宽，通常可在-55°C至+125°C之间稳定运行，确保其在严苛环境下的可靠性。此外，该器件具备良好的耐焊性和热稳定性，支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺，适用于自动化SMT生产线。
作为村田高端磁珠产品线的一员，FBMJ4516HS111在材料配方和内部电极设计上进行了优化，实现了低直流电阻（DCR）与高阻抗特性的平衡，从而在减少功耗的同时提供出色的高频噪声衰减能力。其典型应用包括USB、HDMI、MIPI、LVDS等高速差分信号线路的共模噪声抑制，也可用于电源去耦、IC供电引脚滤波以及射频模块前端保护等场景。
产品类型：磁珠阵列
通道数：4
封装尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
额定电流：100mA
直流电阻（DCR）：0.3Ω（最大值）
阻抗频率：100MHz
阻抗值：90Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
安装方式：表面贴装（SMD）
端接类型：镍/锡电极
高度：0.55mm（最大）
FBMJ4516HS111的核心特性之一是其在100MHz频率下可提供高达90Ω的典型阻抗，这一性能使其能够高效地抑制高频噪声，尤其是在数字开关噪声和时钟谐波频段表现优异。该阻抗主要由磁珠内部铁氧体材料的复数磁导率决定，在高频条件下呈现显著的感抗和电阻成分，将噪声能量转化为热能消耗掉，从而实现EMI滤波功能。与普通电感不同，磁珠在正常工作电流下不会饱和，且其阻抗随频率升高而增加，特别适合用于宽带噪声抑制。
该器件采用四通道集成设计，四个独立磁珠单元被封装在同一基体内，既节省了PCB布局空间，又保证了各通道间的一致性与对称性，有利于高速差分信号对的平衡滤波。每个通道的最大直流电阻仅为0.3Ω，这意味着在通过额定电流时产生的压降和功率损耗极小，有助于提高系统能效，尤其适用于电池供电设备中对功耗敏感的应用场景。
FBMJ4516HS111具备优异的高频响应特性，其自谐振频率（SRF）较高，确保在宽频范围内保持稳定的阻抗性能，避免因寄生电容导致的性能下降。同时，器件的非线性特性较弱，在大信号或瞬态电流条件下仍能维持可靠的滤波效果。其多层陶瓷结构和先进的烧结工艺增强了机械强度和热循环耐久性，能够在多次回流焊过程中保持性能稳定。
此外，该磁珠阵列符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于全球市场的电子产品制造。其端电极为镍/锡镀层，具有良好的可焊性和长期可靠性，能够有效防止焊点老化和开裂问题。整体设计兼顾了高性能、小型化与高可靠性，是现代高密度电子系统中理想的EMI解决方案之一。
FBMJ4516HS111广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子设备中，尤其适用于高速数字接口的信号完整性保护。在智能手机和平板电脑中，常用于MIPI DSI/CSI接口、USB OTG线路、HDMI TMDS通道等高速差分信号路径上，用以抑制共模噪声，防止其辐射干扰其他敏感电路或超出EMI法规限值。由于其小尺寸和四通道集成特点，非常适合在紧凑的主板布局中部署。
在无线通信模块中，如Wi-Fi、蓝牙和5G射频前端电路，FBMJ4516HS111可用于电源引脚或控制信号线的滤波，防止高频噪声耦合到天线系统造成接收灵敏度下降。在工业控制和汽车电子领域，该器件可用于CAN、I2C、SPI等总线线路的噪声抑制，提升系统在复杂电磁环境下的稳定性与抗干扰能力。
此外，它也常见于笔记本电脑、可穿戴设备和物联网终端等便携式电子产品中，用于处理器、传感器和显示屏之间的信号链路滤波。在电源管理部分，可作为LDO或DC-DC转换器输出端的辅助滤波元件，进一步净化电压轨，降低纹波噪声对模拟电路的影响。其宽温特性和高可靠性也使其适用于车载信息娱乐系统和ADAS相关模块中的信号调理电路。
BLM18AG900SN1D
DLW21MH900XK2
ACM4516-900-T000
CM1810-F900S
