时间：2025/9/1 13:29:43
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FBM220N80是一种高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适用于需要高功率密度和高可靠性的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：220A
导通电阻(Rds(on))：约0.022Ω
栅极电荷(Qg)：约180nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
FBM220N80的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和高耐压能力。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于需要长时间高负载运行的电源系统。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提高了栅极控制的精确性，同时减少了开关损耗。其高dv/dt耐受能力使其在高频开关应用中表现优异，降低了电磁干扰（EMI）的影响。此外，FBM220N80的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
FBM220N80广泛应用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备。在电动汽车和可再生能源系统中，它常用于功率转换模块，以提高能效和系统可靠性。此外，该器件也适用于高频感应加热设备和电源管理系统。
IXFH220N80P3, FF220N80S
