FB3100D 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备以及电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。FB3100D 采用 TO-252(DPAK)封装,适用于表面贴装工艺,便于散热和集成。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A(在 Vgs=10V 时)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
导通电阻 Rds(on):最大 3.7mΩ(在 Vgs=10V 时)
阈值电压(Vgs(th)):1V 至 3V
输入电容(Ciss):约 2000pF
反向恢复时间(trr):不适用(非双极型器件)
FB3100D 的核心优势在于其低导通电阻,这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有优异的热稳定性和高电流承载能力,适合在高功率密度设计中使用。
TO-252(DPAK)封装不仅提供了良好的散热性能,而且支持表面贴装技术,简化了 PCB 布局和制造流程。
FB3100D 的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 20V 的 Vgs,兼容多种驱动电路设计,提高了设计灵活性。
此外,该 MOSFET 具有较高的耐用性和可靠性,适用于工业级和汽车级应用环境。
其低导通电阻和快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
FB3100D 还具有良好的热保护性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
FB3100D 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效率和高电流能力的场合。
常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源管理系统(PMU)等。
由于其低 Rds(on) 和高电流能力,FB3100D 也常用于服务器、电信设备、工业控制设备和消费类电子产品中的电源模块设计。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动水泵等功率控制模块。
此外,FB3100D 也可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及储能系统的功率开关电路中。
SiS434DN-T1-GE3, IRF1324S30PBF, FDS6680, FDBL0300SD085-F085