FB3100D 时间：2025/9/6 1:11:11 阅读：26

FB3100D 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备以及电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。FB3100D 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，便于散热和集成。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在 Vgs=10V 时）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 3.7mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V 至 3V
　　输入电容（Ciss）：约 2000pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非双极型器件）

特性

FB3100D 的核心优势在于其低导通电阻，这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有优异的热稳定性和高电流承载能力，适合在高功率密度设计中使用。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，而且支持表面贴装技术，简化了 PCB 布局和制造流程。
　　FB3100D 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs，兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　其低导通电阻和快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　FB3100D 还具有良好的热保护性能，能够在高温环境下保持稳定运行。

应用

FB3100D 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流能力的场合。
　　常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理系统（PMU）等。
　　由于其低 Rds(on) 和高电流能力，FB3100D 也常用于服务器、电信设备、工业控制设备和消费类电子产品中的电源模块设计。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵等功率控制模块。
　　此外，FB3100D 也可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及储能系统的功率开关电路中。