时间：2025/12/26 21:03:17
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FB17N50L是一款由ONSEMI（安森美）生产的高压MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、DC-DC转换器和其他高效率功率转换应用。该器件采用先进的平面栅极DMOS技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压环境下实现高效的功率控制。FB17N50L的额定电压为500V，适合在需要高耐压和高可靠性的工业和消费类电子设备中使用。其封装形式为TO-220F，具有良好的热性能和电气隔离能力，适用于多种安装方式，包括PCB板直插焊接。
该MOSFET设计用于快速开关操作，具备较低的开关损耗和较高的系统效率，有助于减小整体电源系统的体积和散热需求。此外，FB17N50L还具备良好的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行。由于其高性能和可靠性，广泛应用于AC-DC适配器、LED驱动电源、电机控制电路以及各类工业电源模块中。
型号：FB17N50L
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500 V
连续漏极电流(Id)：1.7 A @ 25°C
脉冲漏极电流(Id_pulse)：6.8 A
导通电阻(Rds(on))：3.0 Ω @ Vgs = 10 V
栅源电压(Vgs)：±30 V
功率耗散(Pd)：50 W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220F
FB17N50L采用先进的平面DMOS工艺技术，具备出色的高压处理能力和稳定的电气性能。其最大漏源击穿电压高达500V，能够支持宽范围输入电压的应用场景，如通用输入电压（85VAC~265VAC）的开关电源设计。该器件在VGS=10V条件下，典型导通电阻仅为3.0Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）使其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路的负担并提升了开关速度。
该MOSFET具有优秀的热稳定性与长期可靠性，TO-220F封装提供了良好的散热路径，确保在高功率密度环境下仍能维持安全的工作温度。其内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能量能力（EAS），可在意外过压或感性负载切换时提供额外保护，避免器件因瞬态应力而损坏。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。
FB17N50L还具备快速恢复体二极管，虽然未专门用于续流，但在某些拓扑结构（如反激式变换器）中可辅助完成能量回馈过程。其阈值电压（Vgs(th)）典型值约为3V，在标准逻辑电平驱动下即可实现充分导通，兼容多种PWM控制器输出。综合来看，该器件在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中的理想选择之一。
FB17N50L广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其适用于离线式AC-DC转换器，例如手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块等。其高耐压特性使其能够在宽交流输入电压范围内稳定工作，适合全球通用电压输入设计。在LED照明驱动电源中，该器件常被用作主开关管，配合反激或正激拓扑结构实现高效恒流输出，满足节能与小型化的需求。
此外，FB17N50L也常见于工业控制电源、智能电表、网络通信设备电源单元以及小型UPS系统中。在这些应用中，其高可靠性和抗干扰能力保障了长时间连续运行的稳定性。由于其封装具备电气绝缘特性（TO-220F为绝缘封装），可以直接安装在散热片上而无需额外绝缘垫片，简化了热管理设计，提升了生产装配效率。
在DC-DC变换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构中的主开关元件，尤其适用于输入电压较高的场合。同时，它也可用于电机驱动电路中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与调速。凭借其优异的开关特性和热性能，FB17N50L已成为许多工程师在开发50W以下功率等级电源产品时的首选器件之一。
FQP17N50L, K2761, IRFBG40, STP17N50
