时间：2025/8/1 3:48:20
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FB10S033JAR6000 是一款由 TDK 制造的片式磁珠（Chip Bead Ferrite），广泛用于电子电路中以抑制高频噪声。该器件采用多层结构，由铁氧体材料构成，能够在高频范围内提供高阻抗，从而有效抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）。这种磁珠通常用于电源线、信号线以及数据线的滤波，以提高系统的电磁兼容性（EMC）。FB10S033JAR6000 的封装尺寸为 1005（公制）或 0402（英制），适用于表面贴装技术（SMT），便于在高密度 PCB 设计中使用。
型号：FB10S033JAR6000
尺寸：1.0mm x 0.5mm (L x W)
额定电流：300mA
阻抗@100MHz：330Ω
容差：±25%
直流电阻(DCR)：最大 0.35Ω
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
FB10S033JAR6000 具有多个显著的技术特性和优势，使其成为抑制高频噪声的理想选择。
首先，它的高阻抗特性在 100MHz 频率下达到 330Ω，能够有效衰减高频噪声信号。磁珠通过将高频能量转化为热能来实现噪声抑制，而 FB10S033JAR6000 在高频段表现出色，适合用于对电磁干扰敏感的应用场景。
其次，该磁珠的直流电阻（DCR）非常低，最大值为 0.35Ω，这确保了在不影响电路正常工作电流的情况下，有效抑制高频噪声。低 DCR 还有助于减少功率损耗和发热，提高系统的能效和稳定性。
此外，FB10S033JAR6000 支持高达 300mA 的额定电流，适用于多种低功耗和中等功率应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级电子设备。
该磁珠采用小型封装（1005 / 0402），非常适合高密度 PCB 设计，且兼容标准的表面贴装工艺，便于自动化生产和焊接。其容差为 ±25%，在大多数应用场景中具有足够的精度。
总的来说，FB10S033JAR6000 凭借其高阻抗、低直流电阻、宽工作温度范围和小型化设计，成为许多电子系统中抑制高频噪声的首选元件。
FB10S033JAR6000 主要应用于需要抑制高频噪声的电子电路中。常见的应用包括电源管理模块、DC-DC 转换器、稳压器、电池供电设备、便携式电子产品、通信设备、音频和视频设备等。在这些应用中，FB10S033JAR6000 通常被放置在电源线或信号线上，以防止高频噪声从外部进入系统或从系统中辐射出去，从而提高系统的电磁兼容性（EMC）。此外，它也常用于汽车电子系统、工业控制设备和消费类电子产品中，以满足日益严格的电磁干扰（EMI）法规要求。
BKM1005HG331K, SDF0402CE331KP2, DLW31SN331SD2A
