时间：2025/12/28 9:41:13
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FAR-C4CB-10000-K02-R 是一款由 Fujitsu（富士通）公司生产的高性能、低功耗的铁电随机存取存储器（FRAM，Ferroelectric Random Access Memory）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性，能够在断电后依然保留存储的信息，适用于对数据写入速度、耐久性和可靠性要求较高的应用场景。该型号采用高密度C4倒装芯片（Flip Chip）封装技术，具有优异的热稳定性和电气性能，适合在工业控制、汽车电子、医疗设备以及智能仪表等严苛环境中使用。FAR-C4CB-10000-K02-R 的存储容量为1 Mbit（即128 KB），组织方式为131,072 x 8位，支持类似于SRAM的简单接口协议，无需复杂的刷新或擦除操作，极大简化了系统设计和软件开发流程。此外，该芯片具备极高的写入耐久性，可支持高达10^14次的读写周期，远超传统EEPROM和闪存技术，有效避免了因频繁写入导致的存储介质老化问题。工作电压范围通常为3.0V至3.6V，兼容标准的3.3V电源系统，并支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。
品牌：Fujitsu
型号：FAR-C4CB-10000-K02-R
存储容量：1 Mbit (128 KB)
组织结构：131,072 x 8
工艺技术：铁电存储器（FRAM）
封装类型：C4 Flip-Chip BGA
工作电压：3.0V ~ 3.6V
读写耐久性：1e14 次
数据保持时间：10年 @ 最大工作温度
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行异步SRAM接口
访问时间：约70ns
写入时间：无延迟写入（几乎即时）
功耗模式：正常工作模式 / 待机模式
非易失性：是
FAR-C4CB-10000-K02-R 的核心优势在于其采用的铁电存储技术，该技术利用铁电晶体材料的极化状态来存储数据，从而实现非易失性和高速读写能力的完美结合。与传统的EEPROM或Flash存储器不同，FRAM无需进行耗时的擦除操作即可直接覆盖写入数据，极大地提升了写入效率，尤其适用于需要频繁记录传感器数据、事件日志或配置信息的应用场景。
该芯片具备卓越的写入耐久性，支持高达10^14次的读写操作，比普通EEPROM高出数个数量级，显著延长了系统的使用寿命，减少了因存储器磨损而导致的系统故障风险。同时，由于其写入过程不依赖于隧道氧化机制，因此不会产生类似Flash存储器中的“写入疲劳”现象，从根本上解决了数据存储的可靠性瓶颈。
在功耗方面，FAR-C4CB-10000-K02-R 表现出极佳的能效特性。其写入操作的能耗远低于传统非易失性存储器，有助于降低整体系统功耗，特别适合电池供电或对能耗敏感的嵌入式系统。此外，该器件支持低功耗待机模式，在未进行读写操作时自动进入节能状态，进一步优化了能源使用效率。
该芯片采用C4倒装芯片封装技术，提供了优异的热传导性能和电气连接稳定性，能够有效应对高温、振动和机械应力等恶劣工作环境，广泛应用于汽车电子控制系统、工业自动化设备和高可靠性仪器仪表中。其并行SRAM接口设计使得控制器可以像访问普通静态RAM一样对其进行操作，无需专用的驱动程序或复杂的时序控制逻辑，大大降低了系统集成难度和开发周期。
最后，FAR-C4CB-10000-K02-R 具备出色的数据保持能力，在最高工作温度下仍可确保至少10年的数据完整性，即使在频繁断电或突发掉电情况下也能可靠保存关键信息，是替代传统NVRAM和Battery-Backed SRAM的理想选择。
FAR-C4CB-10000-K02-R 广泛应用于对数据写入速度、耐久性和可靠性有严格要求的工业和嵌入式系统领域。典型应用包括工业PLC控制器中的实时数据记录，用于存储生产过程中的工艺参数、报警信息和运行日志，确保在意外断电时不会丢失重要数据。在汽车电子系统中，该芯片可用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）以及高级驾驶辅助系统（ADAS），用于快速记录车辆状态信息、故障码和驾驶行为数据，满足功能安全标准的要求。在医疗设备领域，如病人监护仪、输液泵和便携式诊断设备中，FAR-C4CB-10000-K02-R 可靠地保存患者数据和设备校准信息，保障数据完整性和设备合规性。此外，该器件也常用于智能电表、水表和燃气表等智能计量设备中，作为事件记录和历史数据存储的核心组件，支持频繁的数据更新而无需担心存储寿命问题。在通信基础设施中，可用于基站控制板、路由器和交换机中，用于缓存配置信息和操作日志。同时，由于其高可靠性与宽温工作能力，也被用于航空航天、轨道交通和军事电子等高端领域，作为关键系统的非易失性数据存储解决方案。
MB85RC1MT,F-RAM1M
