时间：2025/8/20 17:21:04
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FAE481-E07是一款由FAIRCHILD（飞兆半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于场效应晶体管（FET）的一种。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等高效率功率转换系统中。FAE481-E07采用先进的平面工艺制造，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子设备。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于安装和散热设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FAE481-E07具有多项优异的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流工作条件下，器件的导通损耗极低，从而提高了整体系统的能效。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达75A，适用于高功率密度设计。此外，FAE481-E07的栅极驱动电压范围较宽（通常在4.5V至20V之间），兼容多种驱动电路，如PWM控制器和逻辑门电路。其高耐压能力（30V漏源电压）确保了在瞬态电压波动或负载突变时仍能稳定运行。TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具有较小的封装尺寸，适合紧凑型电路布局。FAE481-E07的热阻（RθJA）约为40°C/W，进一步增强了其在高功率应用中的稳定性。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受短时间的过载和高能脉冲，提高了系统整体的可靠性。
FAE481-E07适用于多种功率电子系统，广泛用于电源转换器、DC-DC降压/升压模块、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。在同步整流电路中，FAE481-E07能够有效降低导通损耗，提高转换效率。此外，其高电流能力和低RDS(on)特性使其成为高性能电源模块和服务器电源系统中的理想选择。在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源应用中，FAE481-E07也能提供稳定的功率控制能力。
IRF1010E, FDP6675, AUIRF4905, FDS4810
