FA8A70N-A2-L3是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的先进电源管理集成电路(PMIC),专为高能效、低功耗的AC-DC转换应用设计。该器件集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器以及多种保护功能,适用于小功率离线式开关电源系统。FA8A70N-A2-L3采用准谐振(Quasi-Resonant, QR)控制技术,能够在轻载和满载条件下实现高效率,并有效降低电磁干扰(EMI)。该芯片广泛应用于适配器、充电器、家用电器辅助电源、智能照明电源模块等场合。其封装形式为SOT-23-6L,具有体积小巧、外围元件少、易于布局的优点,适合对空间要求严格的紧凑型设计。此外,该器件内置了软启动功能、过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)等多重安全机制,确保系统在各种异常条件下稳定可靠运行。
型号:FA8A70N-A2-L3
制造商:ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型:电流模式PWM控制器
工作电压范围:10 V 至 26 V
启动电压:约10 V
关闭电压:约8.5 V
最大开关频率:约130 kHz
控制模式:准谐振(QR)
封装类型:SOT-23-6L
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
引脚数:6
集成高压启动:是
待机功耗:典型值低于30 mW
反馈类型:光耦反馈(Secondary Side Regulation)
保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、VCC箝位保护
FA8A70N-A2-L3具备先进的准谐振控制技术,能够实现谷底开关(Valley Switching),即在MOSFET漏源电压最低点时开启开关管,从而显著降低开关损耗,提升整体转换效率。该特性特别适用于需要满足全球能效标准(如Energy Star、DoE Level VI、EU CoC Tier 2)的应用场景。芯片内部集成了一个高压启动电流源,可在上电时直接从整流母线电压为VCC电容充电,无需额外的启动电阻网络,不仅简化了电路设计,还降低了空载功耗。此外,该启动电流源在VCC达到阈值后自动关闭,避免持续功耗,进一步提升了轻载效率。
该器件采用电流模式控制架构,提供快速的负载瞬态响应和良好的线路调节能力。内置的斜坡补偿电路可有效防止在占空比大于50%时发生次谐波振荡,确保系统在宽输入电压和负载范围内稳定运行。FA8A70N-A2-L3还具备频率折叠(Frequency Folding)功能,在轻载时自动降低开关频率以减少开关损耗,同时维持输出电压稳定,实现极低的待机功耗。此功能对于需要长时间待机的设备(如智能家居产品、物联网设备)尤为重要。
在保护机制方面,芯片集成了全面的安全功能。过载保护(OLP)通过监测反馈信号的脉冲宽度或周期来判断负载状态,一旦检测到持续过载,将进入打嗝模式(Hiccup Mode),周期性尝试重启,避免过热损坏。过压保护(OVP)监控反馈回路状态,防止因光耦失效或次级稳压电路故障导致输出电压失控。过温保护(OTP)则通过片内温度传感器实时监测芯片结温,当温度超过设定阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常工作。这些保护功能大大增强了系统的可靠性与安全性。
FA8A70N-A2-L3广泛应用于各类小功率开关电源系统中,尤其适用于对效率、尺寸和成本敏感的设计。常见应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式电子设备的充电器;家用电器中的辅助电源,如微波炉、洗衣机、空调的控制板供电;LED照明驱动电源,特别是智能灯泡和低压LED模块;以及工业传感器、智能电表、路由器等小型适配器类设备。由于其支持准谐振工作模式并具备优异的轻载效率表现,该芯片非常适合用于需要满足严格能效法规的产品设计。此外,其SOT-23-6L的小型封装使其成为PCB空间受限应用的理想选择,例如高度集成的电源模块或嵌入式电源系统。结合简单的外围电路,FA8A70N-A2-L3能够构建出高性能、高可靠性的反激式(Flyback)转换器拓扑,适用于5W至25W的功率范围。
FAN6300MXAJTX
MP1495GJ-ADJ-Z