时间：2025/5/15 12:14:53
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FA6A00N-N6-L3是一款基于硅技术设计的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和功率转换应用，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理等领域。
FA6A00N-N6-L3采用了先进的制造工艺，使其能够在较高的工作频率下保持优异的性能，并且具备良好的热稳定性和电气特性。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：18A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：1780pF
总耗散功率：158W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，能够承受异常条件下的过载情况。
4. 热稳定性好，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 提供卓越的电气特性和抗干扰能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. LED照明驱动电路
5. 充电器和适配器
6. 工业自动化设备
7. 通信基站功率模块
IRF640N
FDP037N06L
STP18NF06L
