时间：2025/9/22 13:41:55
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FA5701P-A2是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高效率、电流模式脉宽调制（PWM）控制器芯片，广泛应用于离线式开关电源（SMPS）设计中，尤其适用于反激式转换器拓扑结构。该芯片专为低待机功耗和高能效的电源适配器、充电器、辅助电源以及消费类电子产品中的AC-DC转换应用而设计。FA5701P-A2集成了多种保护功能与智能控制机制，能够在宽输入电压范围内稳定工作，同时具备良好的动态响应能力。其封装形式为DIP-8或SOP-8，便于在紧凑型电源设计中布局，并支持自动重启模式以增强系统可靠性。该器件通过优化的内部电路设计，降低了外部元器件数量，有助于减少整体BOM成本并提升电源系统的长期稳定性。此外，FA5701P-A2采用了频率抖动技术（Frequency Jittering），有效降低电磁干扰（EMI），从而简化了EMI滤波电路的设计，满足国际电磁兼容性标准要求。
工作电压范围：8.5V ~ 26V
启动电流：≤10μA
工作电流：3.2mA（典型值）
关断电流：≤100μA
振荡器频率：65kHz（典型值）
最大占空比：约80%
反馈输入阈值：2.5V（典型值）
输出驱动能力：图腾柱输出，可驱动MOSFET
过温保护阈值：140°C（典型值）
欠压锁定（UVLO）开启电压：8.5V（±1V）
欠压锁定关闭电压：7.5V（±1V）
封装类型：SOP-8 或 DIP-8
FA5701P-A2具备先进的保护机制，包括逐周期电流限制、过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及软启动功能。这些保护措施共同确保了电源系统在异常工况下的安全运行。例如，在发生输出短路或过载时，芯片会自动进入打嗝模式（Hiccup Mode），切断功率输出并周期性尝试重启，避免持续高温损坏外部元件。此外，内置的前沿消隐电路（Leading Edge Blanking, LEB）可有效防止因MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰误触发保护，提升了系统的抗干扰能力和稳定性。
该芯片采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性，适合用于对输出精度和动态性能有较高要求的应用场景。通过外接电阻网络可以灵活设置工作频率，并支持外部同步功能（部分版本）。内部集成的高压启动电路使得无需额外的启动电阻即可完成系统上电初始化，进一步提高了轻载效率和待机性能。同时，芯片具备极低的启动电流和运行电流，显著降低了空载损耗，符合全球日益严格的能源效率法规如Energy Star、DoE Level VI等标准。
FA5701P-A2还集成了可编程的延迟定时器用于过压保护锁定，防止误动作；其图腾柱输出级具有高灌电流和拉电流能力，能够快速开关外部功率MOSFET，减少开关损耗。频率抖动技术的应用使传导和辐射EMI得到明显抑制，有助于通过CISPR22/EN55022等EMI认证。总体而言，FA5701P-A2是一款高度集成、高可靠性和高性价比的PWM控制器，适用于中小功率开关电源的设计需求。
FA5701P-A2主要用于中小功率的AC-DC开关电源中，典型应用场景包括手机充电器、笔记本电脑适配器、电视机和显示器的辅助电源、智能家居设备供电模块、LED照明驱动电源、路由器和网络通信设备的内置电源单元等。由于其出色的能效表现和丰富的保护功能，也常被用于工业控制设备中的隔离式DC-DC转换前级电路。此外，该芯片适用于全电压输入范围（85VAC ~ 265VAC）的通用输入设计，因此在全球各类电网环境下均可稳定运行，特别适合出口型电子产品使用。在设计上，它支持连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM）两种反激拓扑工作方式，适应不同功率等级和成本要求的方案选择。
NCP1252BD65R2G
VIPER26LD
SG6848P
TNY278PN
