型号：FA5601N
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　封装类型：DIP-8
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　最大电源电压：20 V
　　启动电流：≤ 5 μA
　　工作电流：约 3.5 mA
　　振荡频率：65 kHz（典型值）
　　PWM控制模式：电流模式
　　占空比范围：0% 至 80%
　　内置基准电压：5.0 V ±2%
　　过温保护：有，带迟滞
　　过压保护：有
　　欠压锁定（UVLO）：开启阈值 16 V / 关闭阈值 10 V
　　驱动输出能力：图腾柱输出，最大灌电流/拉电流 0.5 A
　　保护功能：过流保护、过压保护、过温保护、软启动功能

FA5601N作为一款高性能的电流模式PWM控制器，具备多项关键特性以确保电源系统的高效与可靠运行。首先，其电流模式控制架构提供了快速的瞬态响应能力和良好的线性调整率，使得输出电压在输入电压波动时仍能保持稳定。该模式还能有效防止变压器饱和，并允许逐周期电流限制，提高了系统的安全性。其次，芯片内部集成了高压启动电路，可在上电后直接从整流后的直流母线电压启动，无需额外的启动电阻网络，从而降低了待机功耗并简化了外围设计。此外，FA5601N具备完善的保护机制，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及欠压锁定（UVLO），这些保护功能协同工作，可在各种异常工况下及时关闭PWM输出，防止主开关管和变压器损坏。
　　另一个显著特点是其绿色节能操作模式。当负载较轻或处于待机状态时，FA5601N会自动切换至突发模式（Burst Mode），通过降低开关频率和工作电流来显著减少系统功耗，从而满足严格的能效标准如Energy Star和DoE Level VI。这种智能调频机制不仅提升了轻载效率，也减少了电磁干扰（EMI）。此外，芯片内置软启动功能，在启动过程中逐步增加占空比，避免了因电感电流突增而导致的过冲现象，保护了功率MOSFET和其他关键元件。其固定的65 kHz开关频率有利于滤波器设计和EMI优化，同时兼容通用的磁性元件选型。
　　FA5601N还采用了抗噪能力强的设计，内部设置了前沿消隐电路（Leading Edge Blanking, LEB），可以有效抑制电流检测信号中的尖峰干扰，防止误触发过流保护，提升系统稳定性。其图腾柱输出级具有较强的驱动能力，可直接驱动功率MOSFET，减少了外加驱动电路的需求。DIP-8封装形式不仅便于手工焊接和维修，也有利于散热和电气隔离。总体而言，FA5601N以其高集成度、低功耗、强健的保护功能和优异的动态性能，成为中小功率开关电源设计中的理想选择。

FA5601N主要应用于各类中小功率的AC-DC开关电源中，典型用途包括手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器电源模块（如电视、音响、路由器等）、LED照明驱动电源以及工业控制设备中的辅助电源。由于其具备低待机功耗和高转换效率的特点，特别适合需要符合节能法规的产品设计。此外，该芯片也可用于电池充电器、POS机电源、智能家居设备电源等领域。其稳定的性能和丰富的保护功能使其在对可靠性要求较高的环境中表现出色。

FAN6755P, UC3842, KA3842, SG6848