时间：2025/9/24 15:48:35
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FA5581N-D1-TE2是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高性能、低功耗的电源管理集成电路（PMIC），主要用于开关模式电源（SMPS）系统中。该器件集成了控制器、驱动器和保护电路，适用于多种电源转换拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）等。其设计旨在提高系统效率、减小外部元件数量并增强整体可靠性。FA5581N-D-PK采用DIP-8封装形式，便于在通用交流适配器、充电器、电视辅助电源、工业电源以及LED照明电源等应用中使用。该芯片具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在宽输入电压范围内稳定运行，适合用于需要高集成度与高可靠性的中低功率电源系统。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保和安全性的要求。
型号：FA5581N-D1-TE2
制造商：ON Semiconductor (安森美)
封装类型：DIP-8
工作温度范围：-40°C 至 +105°C
最大输出电流：典型值为500mA（内部MOSFET驱动能力）
启动电流：≤ 10μA
工作频率：可调，典型范围30kHz ~ 100kHz
反馈控制方式：电流模式控制
供电电压范围（VCC）：9V ~ 26V
内置高压启动电路：支持直接从整流母线电压启动
过温保护（OTP）：具备自动恢复功能
过载保护（OLP）：有
欠压锁定（UVLO）：具备迟滞特性
导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（内部Bipolar或MOSFET开关元件）
功耗（PD）：1.2W（最大值）
引脚数：8
安装类型：通孔（Through-Hole）
FA5581N-D1-TE2具备高度集成的电源控制功能，采用了先进的电流模式PWM控制架构，能够实现精确的输出电压调节和快速的瞬态响应。其内置的高压启动电路允许芯片在上电时直接从整流后的直流母线电压获取启动电流，无需额外的启动电阻网络，从而减少了外围元件数量，提高了系统效率，并缩短了启动时间。该芯片还集成了软启动功能，在启动过程中逐步增加占空比，有效抑制了浪涌电流，防止变压器饱和和输出电压过冲。
为了确保系统的长期稳定运行，FA5581N-D1-TE2配备了多重保护机制，包括过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术，以消除电流检测信号中的尖峰干扰，提升噪声免疫能力。此外，其电流检测阈值具有温度补偿设计，可在宽温度范围内保持稳定的限流点，避免因温度变化导致误触发或性能下降。
该器件支持可编程的工作频率设置，用户可通过外接电阻和电容灵活调整开关频率，优化EMI性能与转换效率之间的平衡。同时，它具有良好的负载调整率和线路调整率，即使在输入电压波动或负载突变的情况下也能维持稳定的输出电压。得益于其低静态电流和高效的控制逻辑，FA5581N-D1-TE2在轻载或待机状态下仍能保持较高的能效，满足能源之星等节能认证的要求。
FA5581N-D1-TE2广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适用于需要高集成度、低成本和高可靠性的场合。典型应用包括手机、笔记本电脑和其他便携设备的AC/DC适配器与充电器；家用电器中的辅助电源（如电视、音响、机顶盒的待机电源）；LED驱动电源，特别是在离线式恒压或恒流LED照明方案中表现优异；工业控制设备中的隔离式DC/DC电源模块；以及智能电表、路由器、监控摄像头等通信与物联网设备的电源部分。
由于其内置高压启动和电流模式控制特性，该芯片特别适合构建反激式变换器拓扑，可在通用交流输入（85VAC ~ 265VAC）条件下高效工作。此外，凭借其紧凑的DIP-8封装和较少的外围元件需求，FA5581N-D1-TE2有助于缩小PCB面积，降低生产成本，加快产品开发周期。在电磁兼容性（EMC）方面，通过合理布局和频率抖动（如有）配置，可以有效降低传导和辐射干扰，满足CISPR22/EN55022等国际EMI标准。
FSCQ12XN,FSDH321BN,SG6848
