FA5528N 时间：2025/9/23 8:38:59 阅读：10

FA5528N是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高性能、低功耗的CMOS型霍尔效应传感器集成电路，广泛应用于需要精确位置检测和速度测量的系统中。该器件集成了霍尔电压发生器、信号放大器、施密特触发器以及输出驱动器，能够直接输出数字信号，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。FA5528N采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成在空间受限的设计中。其工作原理基于霍尔效应，当有磁场接近芯片表面时，内部霍尔元件感应磁场变化，并通过内置信号处理电路将模拟信号转换为干净的数字输出信号。该器件具有高灵敏度、良好的温度稳定性和抗外部干扰能力，能够在较宽的电源电压范围（通常为3.0V至24V）内稳定工作。此外，FA5528N具备反向电压保护和过热关断功能，提升了系统的可靠性和耐用性。由于其推挽输出结构，无需上拉电阻即可直接驱动负载，简化了外围电路设计。该芯片特别适合用于电机换相、转速检测、接近开关、旋转编码器等应用场景。

参数

型号：FA5528N
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　封装类型：SOT-23
　　工作电压范围：3.0V 至 24V
　　工作电流：典型值 5mA
　　输出类型：推挽输出
　　磁感应阈值（Bop）：典型值 35Gauss
　　释放阈值（Brp）：典型值 25Gauss
　　回差磁场（Bhys）：典型值 10Gauss
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　响应时间：典型值 1μs
　　输出饱和电压（VOL）：典型值 0.2V
　　输出高电平漏电流：最大值 100nA

特性

FA5528N的核心特性之一是其高灵敏度与稳定性结合的设计，使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠的开关动作。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备极低的静态功耗，非常适合电池供电或对能效要求较高的系统。其内置的稳压电路允许在宽电压范围内工作，增强了系统的兼容性与适应性。信号调理部分包含差分霍尔传感元件和低噪声放大器，有效抑制共模干扰，提高信噪比。施密特触发器设计提供了适当的迟滞（约10G），防止在临界磁场强度下输出抖动，确保输出信号的干净和稳定。
　　另一个显著特点是其推挽输出结构，不同于传统的开漏输出，无需外接上拉电阻即可提供强驱动能力，既能拉电流也能灌电流，典型驱动能力可达±25mA，可直接连接微控制器、逻辑门或继电器等负载，简化了PCB布局并减少元件数量。此外，FA5528N具备出色的温度补偿机制，确保在-40°C至+150°C的全工作温度范围内，磁性开关点漂移极小，保证系统长期运行的一致性。
　　该器件还集成了多项保护功能，包括反向电源连接保护和热关断保护。当芯片温度超过安全阈值时，内部热保护电路会自动关闭输出，防止损坏，待温度恢复后自动重启，提高了系统安全性。SOT-23小型封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适用于自动化贴片生产。整体而言，FA5528N以其高可靠性、易用性和广泛的工作条件，成为众多位置与速度传感应用中的理想选择。

应用

FA5528N广泛应用于多个领域，尤其在汽车电子系统中表现突出，例如用于检测变速箱齿轮位置、发动机曲轴/凸轮轴位置传感、车门开闭状态检测以及电动助力转向系统中的角度反馈。在工业控制方面，常用于无刷直流电机（BLDC）的转子位置检测，实现精确的电子换相；也可用于旋转编码器、流量计中的叶轮转速监测，以及各类接近式开关装置。消费类电子产品中，该芯片可用于笔记本电脑翻盖检测、智能家电门盖状态识别等场景。由于其宽电压输入能力和高温耐受性，FA5528N也适用于户外设备或恶劣环境下的非接触式位置检测任务，如农业机械、工程机械的状态监控。此外，在安防系统中，可用于门窗磁传感器，实现入侵检测功能。得益于其紧凑封装和低功耗特性，该器件同样适合便携式设备中的运动感知模块设计。总之，凡需进行非接触式位置或速度检测的应用，FA5528N均能提供稳定、高效的解决方案。