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FA5510N-D1 发布时间 时间:2025/12/28 9:55:40 查看 阅读:10

FA5510N-D1是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率电流模式脉宽调制(PWM)控制器,广泛应用于离线式开关电源(SMPS)设计中。该器件专为低功率至中等功率的反激式转换器拓扑结构而设计,适用于如手机充电器、适配器、家用电器辅助电源、LED照明驱动电源等多种应用场景。FA5510N-D1集成了多种保护功能和优化设计,能够在较宽的输入电压范围内稳定工作,同时具备良好的动态响应能力和轻载效率表现。该芯片采用DIP-8封装形式,便于安装与散热,在保证性能的同时也兼顾了成本控制,是中小功率AC-DC电源方案中的常用选择之一。其内部集成高压启动电路,可实现快速启动并降低待机功耗,符合现代节能标准要求。

参数

型号:FA5510N-D1
  封装类型:DIP-8
  工作电压范围:10 V ~ 25 V
  启动电压:约9.5 V
  关闭电压:约7.5 V
  最大开关频率:约65 kHz
  占空比限制:最大约80%
  电流检测阈值:典型值1 V(前沿消隐后)
  反馈输入类型:电流模式PWM控制
  工作温度范围:-40°C ~ +105°C
  引脚数:8
  输出驱动能力:图腾柱输出,可驱动MOSFET
  内置前沿消隐(LEB):有
  功耗:典型1.2 W(具体取决于应用)

特性

FA5510N-D1具备多项先进特性以提升电源系统的整体性能与可靠性。首先,它采用电流模式控制架构,能够提供优异的瞬态响应和逐周期电流限制功能,有助于提高系统稳定性并简化环路补偿设计。其次,芯片内置高压启动电路,可在上电时直接从高压母线获取启动电流,无需额外的启动电阻网络,从而减少外部元件数量并加快启动速度。此外,该器件具有完善的保护机制,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)以及过温保护(OTP),在异常情况下能有效防止电源损坏。
  为了优化轻载和待机效率,FA5510N-D1引入了频率折叠(Frequency Folding)技术或突发模式(Burst Mode)控制策略,当负载降低时自动调整工作频率或进入间歇振荡状态,显著降低空载功耗,满足国际能效标准如Energy Star或DoE Level VI的要求。芯片还配备了前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)电路,用于屏蔽电流检测信号中的尖峰干扰,避免误触发过流保护,提高系统抗噪能力。
  FA5510N-D1的设计注重可靠性和安全性。其UVLO功能确保芯片仅在供电电压达到安全水平后才开始工作,并在电压过低时停止输出,防止MOSFET因驱动不足而发生热失效。过温保护则通过内部温度传感器实时监测芯片结温,一旦超过设定阈值即关闭输出,待温度下降后自动恢复运行。这些多重保护机制共同保障了电源在各种工况下的长期稳定运行。

应用

FA5510N-D1主要用于中小功率的隔离型开关电源设计,典型应用包括通用交流输入(85VAC ~ 265VAC)的反激式转换器。常见于各类消费类电子产品电源适配器,如智能手机充电器、平板电脑电源、路由器和机顶盒的外置电源模块。由于其高集成度和良好效率表现,也被广泛用于家电产品的辅助电源(Auxiliary Power Supply),例如空调、洗衣机、微波炉等设备中为控制板供电的小功率电源部分。
  此外,该芯片适用于LED照明驱动电源,特别是在非调光或支持基本调光功能的恒压输出LED驱动方案中表现出色。工业领域中的一些小型电源模块、仪器仪表电源、智能家居设备电源等也是其典型应用场景。得益于其稳定的性能和较强的抗干扰能力,FA5510N-D1还可用于对电磁兼容性有一定要求的环境。对于需要满足CE、FCC等认证标准的产品,结合适当的外围电路设计,该芯片能够帮助工程师快速实现合规且可靠的电源解决方案。

替代型号

NCP1014
  UC3842
  SG6848

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