型号：FA5510N-D1-TE2
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：DIP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　最大供电电压：20 V
　　启动电流：典型值5 μA
　　工作频率：典型值65 kHz
　　反馈类型：电流模式PWM
　　最小导通时间：典型值1.2 μs
　　最小关断时间：典型值0.8 μs
　　电流检测阈值：典型值0.9 V
　　输出驱动能力：图腾柱输出，最大峰值电流约1 A
　　软启动功能：内置
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护
　　调节精度：±1%
　　引脚数：8
　　安装类型：通孔（Through Hole）

FA5510N-D1-TE2具备优异的动态响应能力和稳定的环路控制性能，这得益于其电流模式控制架构。电流模式控制不仅能够提供逐周期的电流限制，还能改善系统的瞬态响应，使得输出电压在负载突变时仍能保持稳定。该芯片内置斜率补偿机制，有效防止在占空比大于50%时出现次谐波振荡，确保反激变换器在宽输入电压和负载范围内稳定运行。
　　该器件具有极低的启动电流（典型值仅为5μA），这意味着可以通过一个较大的启动电阻来减少待机功耗，从而显著提升整个电源系统的轻载效率，符合现代绿色能源标准。同时，其内部集成了高压启动电路，无需额外的启动偏置电源，进一步简化了外围设计。
　　FA5510N-D1-TE2还集成了完善的保护机制。例如，过载保护（OLP）通过监测反馈信号的持续时间或幅度判断是否发生输出过载，并在触发后进入打嗝模式（Hiccup Mode），有效限制故障状态下的能量输出；过压保护（OVP）则监控VCC电压或输出反馈路径，防止因反馈回路失效导致输出电压失控；热关断功能在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出驱动，待温度下降后自动恢复，增强了系统鲁棒性。
　　为了优化电磁兼容性（EMC）表现，该芯片采用了频率抖动（Frequency Jittering）技术，使开关频率在标称值附近轻微波动，从而将能量分散到更宽的频谱范围内，显著降低峰值EMI噪声，有助于通过CISPR32等EMI认证，减少对外部滤波元件的需求。
　　此外，FA5510N-D1-TE2的图腾柱输出级具有较强的驱动能力（峰值约1A），可高效驱动MOSFET栅极，减少开关损耗，提升整体效率。内置软启动功能可防止开机时产生过大的浪涌电流，避免对变压器和输出电容造成应力冲击，延长系统寿命。

FA5510N-D1-TE2广泛应用于多种低功率开关电源场合，尤其适用于需要高可靠性与高能效的消费类电子产品。典型应用包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居设备电源模块、路由器和机顶盒的辅助电源等。其稳定的性能和内置保护功能也使其适用于工业控制领域的隔离式DC-DC电源或传感器供电单元。
　　在家电产品中，如电视、音响、微波炉等设备的待机电源（Standby Power Supply）中，FA5510N-D1-TE2能够实现极低的待机功耗，满足日益严格的环保法规要求。此外，由于其具备良好的瞬态响应能力，也可用于对输出电压稳定性要求较高的仪表电源或小型PLC控制系统。
　　在照明领域，该芯片可用于LED驱动电源的设计，特别是在非调光或基本调光功能的小功率LED灯具中表现出色。结合适当的反馈网络，可以实现恒压或恒流输出，满足不同LED配置的需求。
　　对于需要符合安规认证的产品，FA5510N-D1-TE2的高集成度和成熟的应用方案有助于缩短开发周期，降低BOM成本，并提升产品通过UL、CE、CCC等认证的可能性。其DIP-8封装形式便于手工焊接和自动化生产，在中小批量制造中具有较高灵活性。

FAN6755B, UC3842, NCP1014, SG6848, TNY278