FA5510N-D1-TE1 时间：2025/9/23 13:49:08 阅读：10

FA5510N-D1-TE1是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高效率、电流模式脉宽调制（PWM）控制器，广泛应用于离线式开关电源（SMPS）设计中。该器件专为低功率AC-DC转换应用而优化，例如用于手机充电器、适配器、家用电器辅助电源以及小型电子设备的电源管理模块。FA5510N-D-LTE1采用固定频率反激式拓扑结构，内置高压启动电路和多种保护功能，能够在宽输入电压范围内稳定工作，同时具备良好的动态响应能力和待机功耗控制能力。该芯片封装形式为DIP-8或SOP-8，便于PCB布局与散热管理，并支持自动重启模式，在发生故障时可有效限制输出能量，提高系统可靠性。此外，其内部集成了软启动电路、斜坡补偿和前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能，有助于减少外部元件数量并提升整体系统稳定性。由于其高度集成化的设计理念，FA5510N-D1-TE1在保证高性能的同时显著降低了电源系统的总体成本和体积，是中小功率开关电源的理想选择之一。

参数

型号：FA5510N-D1-TE1
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SOP-8
　　工作电压范围：典型启动电压9.5V，工作电压范围8.5V ~ 26V
　　最大占空比：约67%
　　开关频率：65 kHz ± 6%
　　控制模式：电流模式PWM
　　启动电流：≤ 50 μA
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　输出驱动能力：图腾柱输出，最大灌电流/拉电流约500mA
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　引脚数：8
　　产品系列：FA5510

特性

FA5510N-D1-TE1具备多项先进特性，使其在同类PWM控制器中表现出色。首先，该芯片内置高压启动电路，可在上电时直接从高压母线获取能量完成启动过程，无需额外的启动电阻网络，从而降低待机功耗并加快启动速度。其次，其采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性，配合斜坡补偿技术，即使在占空比大于50%的情况下也能有效抑制次谐波振荡，确保系统在各种负载条件下平稳运行。此外，芯片集成了前沿消隐（LEB）功能，能够有效滤除MOSFET导通瞬间产生的电流尖峰干扰，避免误触发电流检测比较器，从而提升系统的抗噪声能力。
　　另一个重要特性是其完善的保护机制。FA5510N-D1-TE1内置过载保护（OLP），当负载异常持续一定时间后，芯片会进入自动重启模式，周期性尝试恢复输出，直到故障排除为止；同时具备过压保护（OVP）功能，防止输出电压过高损坏后级电路；还设有过温保护（OTP），当芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出，保障器件安全。这些多重保护措施大大增强了电源系统的鲁棒性和安全性。此外，该器件具有极低的启动电流（≤50μA），有助于满足日益严格的能效标准，如Energy Star和DoE Level VI等。软启动功能则通过缓慢提升内部参考电压来限制开机时的浪涌电流，避免对变压器和功率开关造成应力冲击。最后，该芯片采用经济型SOP-8封装，节省PCB空间且利于自动化生产，适合大规模应用。

应用

FA5510N-D1-TE1主要应用于中小功率的隔离式开关电源系统中，常见于交流转直流（AC-DC）电源适配器、手机及平板电脑充电器、智能家居设备电源模块、路由器和机顶盒的辅助电源、白色家电中的控制板供电单元等场景。由于其高集成度和优异的能效表现，特别适用于要求轻载效率高、待机功耗低、体积紧凑的消费类电子产品电源设计。此外，该芯片也可用于LED照明驱动电源，尤其是非调光或基本调光功能的小功率LED灯具，提供稳定可靠的恒压输出。在工业领域，FA5510N-D1-TE1可用于小型仪器仪表、传感器供电模块以及远程控制设备的嵌入式电源系统，满足宽温环境下长期稳定运行的需求。得益于其良好的EMI性能和稳定的控制环路设计，该器件还能适应较为严苛的电磁环境，适用于对电磁兼容性有一定要求的应用场合。总之，凡是需要高效、低成本、小体积AC-DC转换解决方案的设计，FA5510N-D1-TE1都是一个极具竞争力的选择。