晶体管类型：NPN型
　　封装形式：TO-92
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益（hFE）：典型值为110（在IC=2 mA时）
　　过渡频率（fT）：250 MHz（最小值）

FA5508N-TE1具备多项优异特性，使其在高频放大和开关应用中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）可达250 MHz，使得该晶体管非常适合用于射频放大器和高速开关电路。此外，晶体管的hFE（电流增益）在IC=2mA时典型值为110，并且在宽电流范围内保持稳定，从而确保了良好的放大性能。FA5508N-TE1还具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种严苛的工作环境。该晶体管的TO-92封装不仅小巧轻便，而且具有良好的散热性能，适用于PCB布局紧凑的应用场景。此外，其低噪声特性也使其在音频放大器和信号处理电路中表现出色。
　　FA5508N-TE1的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，这使其在低功率应用中具有较高的安全裕度。同时，最大功耗为300mW，确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。该晶体管的低基极电阻和高β值进一步提升了其高频响应和开关速度，适用于多种通用放大和开关应用场景。

FA5508N-TE1广泛应用于多种电子电路中，尤其是在高频放大和开关控制领域。例如，该晶体管可用于射频信号放大器、音频放大电路、低噪声前置放大器以及高速开关电路。此外，FA5508N-TE1也适用于模拟和数字信号处理电路中的缓冲级和驱动级设计。由于其优异的温度稳定性和可靠性，该晶体管常用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统中。在实际应用中，FA5508N-TE1通常用于替代类似性能的晶体管，如2N3904或BC547等，适用于对高频性能有较高要求的设计。

2N3904, BC547