FA5311S-TE1 时间：2025/8/9 19:41:50 阅读：35

FA5311S-TE1 是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的电子元器件，属于其半导体产品线的一部分。该器件是一款低电压、高增益、高频NPN晶体管，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中。FA5311S-TE1采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于便携式通信设备、无线局域网（WLAN）模块、低噪声放大器（LNA）等高频电子系统。该晶体管具有良好的高频响应特性，能够在低电压条件下保持高效工作，是现代无线通信系统中常用的元器件之一。

参数

类型：NPN晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：150mW
　　频率范围：最高工作频率（fT）：100MHz
　　增益（hFE）：典型值为80至700（根据工作条件不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　低噪声系数：
　　通常小于1dB（在10MHz条件下）
　　供电电压范围：1.5V 至 12V

特性

FA5311S-TE1 是一款专为高频应用设计的NPN晶体管，具有优异的低噪声性能和高增益特性。其主要特性之一是能够在低电压条件下（如1.5V）正常工作，适用于电池供电设备和低功耗系统。该晶体管的高频响应能力使其在射频和中频放大器中表现出色，尤其适用于无线通信设备中的信号增强模块。此外，FA5311S-TE1 的封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺。该器件的噪声系数较低，在10MHz条件下通常小于1dB，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。晶体管的hFE（电流增益）范围广泛，根据不同的工作点可在80至700之间变化，提供了灵活的设计选项。此外，其工作温度范围宽广（-55°C 至 +150°C），可在多种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

FA5311S-TE1 适用于多种高频电子系统，特别是在射频和中频放大电路中表现出色。其主要应用包括低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、无线通信设备、WLAN模块、蓝牙模块、射频识别（RFID）设备、便携式无线电设备、测试仪器以及中继放大器等。在无线通信系统中，该晶体管常用于接收机前端，用于放大微弱的射频信号而不引入过多噪声。此外，FA5311S-TE1 还可用于音频放大电路、传感器信号调理电路以及各种低功耗电子设备中。