FA425AL 时间：2025/8/25 3:34:06 阅读：4

FA425AL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等高功率密度和高效率的场合。FA425AL 的设计目标是提供低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于需要高效能功率管理的系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：25A
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：35mΩ（典型值）
　　栅极电荷 (Qg)：48nC
　　功率耗散 (PD)：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　晶体管配置：单管

特性

FA425AL 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），典型值为 35mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，优化了导通性能和热管理能力，使其在高电流负载下仍能保持稳定的工作状态。
　　此外，FA425AL 具有较高的电流承受能力，最大漏极电流可达 25A，适合用于高功率应用。其栅极电荷（Qg）为 48nC，这一参数表明该器件在高频开关应用中表现良好，能够有效降低开关损耗。

应用

FA425AL 适用于多种高功率应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路、工业自动化设备以及汽车电子系统等。在开关电源中，FA425AL 可以作为主开关管使用，提供高效率的功率转换能力。在 DC-DC 转换器中，FA425AL 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压调节。在电池管理系统中，FA425AL 可以作为充放电控制开关，确保电池的安全和高效运行。此外，在电机驱动应用中，FA425AL 可以提供高电流开关能力，满足电机控制对功率器件的高性能要求。