FA4111B 时间：2025/9/7 10:53:51 阅读：6

FA4111B是一款由FAIRCHILD（飞兆半导体）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。FA4111B采用TO-252（DPAK）封装，具有较小的封装体积和良好的热性能，适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FA4111B具有优异的导通性能和快速的开关特性，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而减少发热并提升整体系统的稳定性。此外，该MOSFET具备较高的栅极绝缘能力，支持±20V的栅源电压，增强了其在复杂电路环境中的可靠性。
　　FA4111B的TO-252封装设计不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，使其适用于中等功率的便携式电子产品和电源管理模块。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，可在高负载和高温环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子等多种应用场景。
　　在驱动特性方面，FA4111B的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少驱动电路的设计复杂度并提升响应速度。同时，该器件具备较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有利于实现更快的开关速度和更小的寄生效应，从而提升电路的整体性能。

应用

FA4111B广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及LED照明驱动模块等。由于其优异的导通特性和紧凑的封装形式，该MOSFET特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源管理单元。此外，FA4111B也可用于工业自动化设备、汽车电子系统、智能电表和无人机等新兴应用领域，满足对高效率、小型化和高可靠性的需求。