FA3647N-TE1 时间：2025/8/9 16:19:25 阅读：87

FA3647N-TE1 是一款由 Fuji Electric（富士电机）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率的 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、马达驱动器以及各种中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：1700pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：100W

特性

FA3647N-TE1 具备多项优良的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的沟槽栅结构优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压稳定性和热稳定性。此外，FA3647N-TE1 的最大漏极电流可达 40A，能够支持较高功率的负载需求。
　　该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，具备快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流电路。其输入电容较低，有助于减少驱动电路的负担，提高开关响应速度。
　　在热性能方面，TO-252 封装提供了良好的散热能力，确保在高功率运行时仍能保持稳定的温度。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣的工业环境。同时，其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的驱动电路设计。
　　FA3647N-TE1 还具备良好的短路耐受能力和过热保护特性，在异常工作条件下仍能维持一定的可靠性。这些特性使其成为电源管理、电池供电系统、工业控制、电动工具、电动车以及服务器电源等领域的理想选择。

应用

FA3647N-TE1 主要应用于各类功率电子系统中，如高效率 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、电源分配系统、服务器电源、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于需要高效率和高可靠性的便携式设备和新能源系统。