类型：JFET输入运算放大器
　　通道数：1
　　电源电压（单电源）：8V 至 36V
　　电源电压（双电源）：±4V 至 ±18V
　　输入偏置电流：典型值 3pA
　　输入失调电压：典型值 0.5mV
　　输入失调电压温漂：典型值 1μV/°C
　　电压增益：≥ 100dB
　　增益带宽积（GBP）：典型值 10MHz
　　单位增益稳定：是
　　输入噪声电压：典型值 3nV/√Hz @ 1kHz
　　输入噪声电流：典型值 0.8fA/√Hz
　　共模抑制比（CMRR）：≥ 90dB
　　电源抑制比（PSRR）：≥ 90dB
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：8-DIP, 8-SOIC

FA2659-ALD的核心特性之一是其超低输入偏置电流，典型值仅为3pA，这一性能使其非常适合驱动高输出阻抗的传感器，如光电二极管、压电传感器、pH探头和离子选择性电极等。由于JFET输入级的固有特性，该器件在宽频率范围内表现出极高的输入阻抗，通常大于10^12Ω，同时并联电容小于5pF，最大限度地减少了信号源负载效应，保证了微弱信号的完整采集。
　　另一个关键特性是其卓越的低噪声性能。输入电压噪声密度低至3nV/√Hz @ 1kHz，接近某些高端双极型输入运放的水平，而其电流噪声仅为0.8fA/√Hz，远优于BJT输入器件，尤其在高源阻抗条件下优势明显。这种低噪声组合使得FA2659-ALD成为低电平模拟信号放大的理想选择，例如在生物电信号采集（如EEG、ECG）前端放大电路中，能够有效提升信噪比，减少后续信号处理的难度。
　　该器件还具备出色的直流精度指标。输入失调电压典型值为0.5mV，并且温漂控制在1μV/°C以内，这在JFET运放中属于顶尖水平，显著降低了温度变化引起的测量误差。结合高达100dB的开环增益和良好的共模/电源抑制比（均≥90dB），FA2659-ALD能够在精密差分放大、仪表放大器构建和高分辨率数据采集系统中提供可靠的性能保障。
　　FA2659-ALD设计用于严苛环境，支持-55°C至+125°C的宽工作温度范围，符合军用级和工业级应用标准。其单位增益稳定特性简化了电路设计，允许在电压跟随器、同相/反相放大器等多种配置中直接使用。此外，该器件具有较低的功耗，在±15V供电时静态电流约为3mA，平衡了性能与能效需求。

FA2659-ALD广泛应用于对信号精度和噪声敏感的高端电子系统。在医疗电子领域，常用于心电图（ECG）、脑电图（EEG）、肌电图（EMG）等生物电势信号的前置放大，因其低噪声和高输入阻抗可有效捕捉微伏级生理信号，同时抑制干扰。
　　在测试与测量仪器中，该器件被用于高精度数字万用表（DMM）、示波器前端、锁相放大器和低电平信号分析仪中，作为输入缓冲或增益级，确保测量结果的准确性和重复性。其稳定的直流特性和低漂移性能对于长时间连续监测和数据记录至关重要。
　　在工业自动化和过程控制中，FA2659-ALD适用于高阻抗传感器信号调理，如热电偶、RTD、应变片和气体传感器的接口电路，特别是在需要远程传输或微弱信号放大的场景中表现优异。此外，在精密电源、基准电压缓冲、电荷放大器和光电检测系统（如光谱仪、激光接收器）中也有广泛应用。
　　音频领域中，该运放可用于高端音频前置放大器、麦克风放大器和唱机均衡放大器（RIAA equalization），其低失真和宽频响特性有助于还原原始音质。科研仪器如原子力显微镜（AFM）、扫描隧道显微镜（STM）和粒子探测器也依赖此类低噪声JFET运放进行信号读出。

LTC6228, AD743, AD744, OPA140, OPA2107