F9300DMQB 是 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的一款双 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的平面技术制造,具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点。这款器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及电池供电设备等领域。其封装形式为 8 引脚 DFN(Dual Flat No-leads)封装,适合高密度 PCB 设计,同时提供良好的热性能。F9300DMQB 在设计上优化了开关性能和导通损耗,使得其在高频开关应用中表现出色。
类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
沟道类型:双 N 沟道
漏源电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):6.3A(单通道)
导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS = 4.5V
栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:8-DFN(5mm x 6mm)
F9300DMQB 是一款高性能功率 MOSFET,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种电源管理应用。其双 N 沟道结构使其能够在高频率下运行,同时保持较低的开关损耗。器件采用了先进的平面工艺,提供优异的热稳定性和可靠性。此外,F9300DMQB 的封装设计优化了热阻,使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,提高了整体系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持 4.5V 至 10V 驱动,适用于多种控制电路配置。F9300DMQB 还具备良好的抗雪崩能力和静电放电(ESD)保护性能,增强了其在恶劣环境下的稳定性。
在实际应用中,F9300DMQB 可用于同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路。其低导通电阻特性可显著降低功率损耗,提高能效。此外,该器件的快速开关能力有助于减小外部滤波元件的尺寸,从而实现更紧凑的设计。F9300DMQB 的封装尺寸小巧,适用于高密度 PCB 布局,同时提供了良好的散热性能,适合用于手持设备、便携式电子产品、工业控制系统以及电源适配器等应用场景。
F9300DMQB 主要用于各种电源管理和功率控制应用,包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、电源适配器以及工业控制设备。在便携式电子设备中,F9300DMQB 可用于提高能效和延长电池寿命。在工业自动化系统中,它可用于控制电机和执行器的功率输出。此外,该器件还可用于电源管理模块、LED 驱动器以及开关电源(SMPS)等应用,提供高效、稳定的功率控制方案。
FDMS3610, FDS6680, Si3442DV, IPB036N04S