时间：2025/8/25 7:10:04
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F8NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、开关电路和电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的设计场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8A
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
F8NM60N具有优异的电气性能和可靠性，其主要特性包括高击穿电压（600V），可支持高压应用场景；低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的低功耗，从而提高系统效率。此外，该器件具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了器件在高温和高负载条件下的稳定运行。同时，其封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。F8NM60N还具备过热保护和短路保护能力，进一步提高了系统的安全性。
F8NM60N常用于各种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及LED照明驱动电路。由于其高可靠性和高效能特性，也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
FQP8N60C, IRF840, FDPF8N60, STP8NM60FD
