时间：2025/12/26 20:27:39
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F8010S是一款由Fortune Semiconductor（富鼎半导体）推出的高性能、高集成度的电源管理芯片，广泛应用于小功率离线式开关电源系统中。该芯片采用准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，专为反激式（Flyback）拓扑结构设计，能够实现高效、低待机功耗和优异的动态响应性能。F8010S集成了多种保护功能和智能控制逻辑，适用于充电器、适配器、智能家居电源模块等对能效和可靠性要求较高的应用场景。其内置高压启动电路和电流模式PWM控制器，简化了外部电路设计，降低了整体BOM成本。此外，该芯片符合国际能效标准，如六级能效（CoC V5 Tier 2）和DoE Level VI，满足全球市场对绿色节能电源产品的需求。
工作电压范围：10V ~ 25V
启动电流：＜5μA
工作频率：30kHz ~ 65kHz
反馈控制模式：电流模式PWM
控制方式：准谐振（QR）控制
封装形式：SOP-7
内置高压MOSFET：650V
待机功耗：＜75mW
过温保护（OTP）：有
过压保护（OVP）：有
欠压锁定（UVLO）：有
最大占空比：80%
软启动功能：支持
电流检测电阻采样阈值：0.85V（典型值）
F8010S采用先进的准谐振控制技术，在MOSFET漏源极电压处于谷底时进行开关动作，有效降低开关损耗，提升转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。该芯片内置650V耐压的高压MOSFET，结合超低启动电流设计，可实现快速启动和高效率运行，无需外部启动电阻，进一步简化电源设计。
芯片具备完善的保护机制，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能，防止因噪声干扰导致误触发。这些保护功能均具备自动恢复或锁死模式，可根据应用需求灵活配置，确保系统在异常工况下的安全性和可靠性。
F8010S还集成了频率抖动（Frequency Shifting）技术，有助于降低电磁干扰（EMI），减少对外部滤波元件的要求，从而降低系统成本并提高EMC兼容性。其内部补偿电路减少了外围元器件数量，提高了系统的稳定性和一致性。同时，芯片支持宽输入电压范围，适应全球通用交流输入（85VAC ~ 265VAC）的应用环境，适用于多种地理区域的电源产品设计。
此外，F8010S优化了轻载工作模式，在极低负载下自动进入突发模式（Burst Mode），显著降低开关频率和驱动损耗，实现低于75mW的待机功耗，满足最严格的节能法规要求。其SOP-7小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化生产，适合高密度电源模块的设计与制造。
F8010S广泛应用于小功率开关电源领域，典型应用场景包括手机充电器、USB PD适配器、智能家居控制板电源、LED照明驱动电源、路由器和IoT设备电源模块等。由于其高集成度和优异的能效表现，特别适合追求高性价比和小型化的消费类电子产品电源设计。此外，也可用于工业传感器供电、白色家电辅助电源等对可靠性和稳定性有较高要求的场合。
FSQ0165、PN8160、TNY288G
