时间：2025/7/26 15:09:00
阅读：4
F741604AGKQ是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：4.1A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：250mΩ（最大值）
功率耗散（Pd）：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
晶体管配置：单管
F741604AGKQ具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面技术制造，具备良好的热稳定性和可靠性。其高耐压能力（60V Vds）使其适用于中高压功率转换系统。此外，该MOSFET具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），可适应不同的驱动电路设计。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于中高功率应用。F741604AGKQ还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
F741604AGKQ广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理系统、电池充电器、LED驱动电路以及工业自动化控制设备等。其优异的导通特性和高耐压能力，使其在需要中等功率开关控制的场合表现出色。
FQP4N60C，IRFZ44N，FDPF4N60，F741604AGK
