F671800 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制场景中。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其优异的电气性能使其成为许多大功率电路设计的理想选择。
最大漏源电压:800V
最大连续漏极电流:18A
导通电阻:0.25Ω
栅极电荷:75nC
输入电容:1500pF
总功耗:300W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
F671800 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:800V 的额定漏源电压确保其在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:仅 0.25Ω 的导通电阻有效降低了功率损耗。
3. 快速开关速度:由于栅极电荷较低(75nC),能够实现高频操作。
4. 热稳定性强:支持的工作温度范围宽广(-55℃ 至 +150℃),适用于极端环境。
5. 强大的过流保护能力:通过优化的封装设计提高了散热性能,增强了可靠性。
6. 良好的动态性能:输入电容为 1500pF,有助于减少开关损耗并提升效率。
F671800 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器:用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
3. 电机驱动:如工业伺服电机和家用电器中的直流无刷电机。
4. PFC(功率因数校正)电路:提高电力系统的效率。
5. 各类工业设备和汽车电子系统:如电动车充电器和电子负载测试仪。
F671600, IRFP460, STP18N80Z