类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.5mΩ（典型值为1.8mΩ）
　　功率耗散（Ptot）：320W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247、TO-263（D2PAK）等

F64100 MOSFET的主要特性之一是其超低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和耐压能力，能够承受瞬时的过载和浪涌电流。
　　其次，F64100采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持稳定的工作状态。其快速开关特性也使得它非常适合用于高频PWM控制电路，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　另外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。这对于需要长时间运行的工业设备和汽车电子系统来说尤为重要。
　　最后，F64100的栅极驱动电压范围较宽，通常支持4.5V至20V之间的驱动电压，使其能够兼容多种驱动电路设计，包括低电压微控制器输出。

F64100 MOSFET因其高性能特性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。在电机控制应用中，该器件可以用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，提供高效的功率输出。
　　在汽车电子领域，F64100可用于汽车电源系统、电动助力转向（EPS）系统、电池管理系统（BMS）等关键模块。此外，在工业自动化设备中，如PLC控制器、伺服驱动器和变频器，该MOSFET也发挥着重要作用。
　　消费类电子产品中，F64100可用于高功率LED照明、智能家电和高性能电源适配器等应用。

IRF1404、SiR144DP、FDP6410、FDMS7610